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    • 专利摘要:
    自己組織化ブロック共重合体を使用して、サブリソグラフィーでナノスケールのマイクロ構造を作製するための方法、ならびに、これらの方法から形成される膜およびデバイスが提供される。
    公开号:JP2011515537A
    申请号:JP2011500852
    申请日:2009-03-03
    公开日:2011-05-19
    发明作者:エイ． クイック，ティモシー；ビー． ミルウォード，ダン
    申请人:マイクロン テクノロジー， インク．；
    IPC主号:C08J5-00
    专利说明:

    [0001] 本発明の実施形態は自己組織化ブロック共重合体の薄膜を作製する方法、およびその方法の結果として生じるデバイスに関する。]
    背景技術

    [0002] ナノスケールの機械的、電気的、化学的および生物学的デバイスならびにシステムの開発が進むにつれて、ナノスケールデバイスおよびコンポーネントを作製するために新規プロセスおよび材料が必要とされる。従来のリソグラフィーによっては容易に到達できないサイズへと半導体フィーチャの寸法が縮小するにつれて、導電性ラインに対する電気接点を製造することは、重大な課題となる。光学リソグラフィー処理方法は、サブ６０ナノメートルレベルでの構造およびフィーチャを作製する上で困難を有する。自己組織化ジブロック共重合体の使用は、ナノスケール寸法におけるパターン化に対する別の手段を提供する。ジブロック共重合体膜は、アニーリング（例えば、ポリマーのガラス転移温度以上の熱アニーリングもしくは溶媒アニーリング）後、成分ポリマーブロックのミクロ相分離によって周期的構造へと自然と組織化して、ナノメートルスケール寸法において秩序のあるドメインを形成する。]
    [0003] （ミクロ相分離されたドメインのサイズおよび形状を含む）膜形態は、ジブロック共重合体のＡＢブロックの分子量および体積分率によって制御することができ、とりわけ、ラメラ、円筒状、もしくは球状の形態を生成する。例えば、ジブロックポリマーの二つのブロック（ＡＢ）の約８０：２０よりも大きい割合における体積分率に対して、ブロック共重合体膜はミクロ相分離し、ポリマーＡのマトリクスによって包囲されたポリマーＢの球体を有する周期的球状ドメインへと自己組織化する。約６０：４０から８０：２０の間の２ブロックの割合に対しては、ジブロック共重合体は、ポリマーＡのマトリクス内のポリマーＢの円筒の周期的六角形密集型もしくはハニカムアレイへと組織化する。約５０：５０から６０：４０の間の割合に対しては、ブロックのラメラドメインもしくは交互の縞模様が形成される。ドメインサイズは通常５−５０ｎｍに及ぶ。]
    [0004] 自己組織化ブロック共重合体（ＢＣＰ）のリソグラフィーに対する多くの適用は、両ドメインが湿潤であり、空気界面で露出された基板に対して、自己組織化ドメインを垂直に配向することを必要とする。エッチングマスクを形成するためにポリマーブロックのうちの一つを選択的に除去することによって、垂直に配向された間隙構造は、その後、下部基板をエッチングするために使用することができる。]
    [0005] 空気中もしくは真空中の大部分のＢＣＰ（例えば、ＰＳ−ｂ−ＰＶＰなど）の従来の熱アニーリングは、通常、あるブロックが空気と蒸気の界面を優先的に湿潤にする結果をもたらす。ゾーンアニーリングと呼ばれる熱アニーリングの変形例は、（例えば、分単位で）迅速な自己組織化を提供することができるが、空気蒸気界面を等しく湿潤にするポリマードメインを有する少数のＢＣＰ（例えば、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ、ＰＳ−ｂ−ＰＬＡ）に対してのみ有効である。基板に対する自己組織化ドメインの垂直配向を生成するためにＢＣＰの溶媒アニーリングが使用されてきたが、それは通常（通常、日単位での）非常に遅いプロセスであり、大量の溶媒を必要とする可能性がある。典型的な溶媒アニーリングは、２５℃で少なくとも１２時間（しばしばそれよりも長時間）ＢＣＰ膜を飽和溶媒雰囲気へと暴露することによって実施される。]
    [0006] これらの課題を克服し、秩序あるナノ構造のアレイの膜を作製する方法を提供することは有用である。]
    図面の簡単な説明

    [0007] 本発明の実施形態は以下に添付する図面に関連して以下に記述されるが、図面は例示の目的のみのためのものである。以下の図面を通して、参照番号は図面において使用され、同一の参照番号は、同一もしくは類似する部分を示すために、幾つかの図面にわたって、ならびに説明において使用される。
    本開示の一実施形態に従う、予備処理段階における基板の一部の俯瞰図を示し、その上に中性湿潤材料を有する基板を示す。
    直線１Ａ−１Ａに沿って描かれた図１に示された基板の立面断面図である。
    直線１Ｂ−１Ｂに沿って描かれた図１に示された基板の立面断面図である。
    その後の段階における図１の基板の俯瞰図を示し、中性湿潤材料上に形成された材料層内のトレンチ形成を示す。
    直線２Ａ−２Ａに沿って描かれた、図２に示された基板の一部の立面断面図を示す。
    直線２Ｂ−２Ｂに沿って描かれた、図２に示された基板の一部の立面断面図を示す。
    本開示の別の実施形態に従う予備処理段階における基板の一部の立面側面図を示し、基板上に形成された材料層内のトレンチを有する基板を示す。
    その後の段階における、図３の基板の立面側面図を示し、トレンチ内の中性湿潤材料の形成を示す。
    その後の段階における、図２の基板の俯瞰図であり、トレンチ内のブロック共重合体材料を示す。
    直線５Ａ−５Ａに沿って描かれた、図５に示された基板の一部の立面断面図である。
    直線５Ｂ−５Ｂに沿って描かれた、図５に示された基板の一部の立面断面図である。
    その後の段階における、図５の基板の俯瞰図であり、ゾーンアニーリング技術による、本発明の一実施形態に従う、膜の一部のアニーリングを示す。
    直線６Ａ−６Ａに沿って描かれた、図６に示された基板の立面断面図であり、膜をゾーンアニーリングするための加熱デバイスの一実施形態を示す。
    直線６Ｂ−６Ｂに沿って描かれた、図６に示された基板の立面断面図である。
    その後の段階における、図５の基板の俯瞰図であり、ゾーンアニーリング技術による、本発明の一実施形態に従う、膜の一部のアニーリングを示す。
    直線７Ａ−７Ａに沿って描かれた、図７に示された基板の立面断面図であり、膜をゾーンアニーリングするための加熱デバイスの一実施形態を示す。
    その後の段階における、図５の基板の俯瞰図であり、ゾーンアニーリング技術による、本発明の一実施形態に従う、膜の一部のアニーリングを示す。
    直線８Ａ−８Ａに沿って描かれた、図８に示された基板の立面断面図であり、膜をゾーンアニーリングするための加熱デバイスの一実施形態を示す。
    本発明の方法の別の実施形態に従う、その後の段階における、図５の基板の俯瞰図であり、アニーリング中のブロック共重合体材料上の非優先的湿潤材料の配置を示す。
    直線９Ａ−９Ａに沿って描かれた、図９に示された基板の立面断面図である。
    直線９Ｂ−９Ｂに沿って描かれた、図９に示された基板の立面断面図である。
    その後の段階における図９Ａに示された基板の断面図であり、アニーリングされた自己組織化ブロック共重合体材料および、アニーリング後の非優先的湿潤材料の除去を示す。
    その後の段階における図９Ｂに示された基板の断面図であり、アニーリングされた自己組織化ブロック共重合体材料および、アニーリング後の非優先的湿潤材料の除去を示す。
    その後の段階における図８の基板の俯瞰図であり、ポリマーブロックのうちの一つを除去した後基板をエッチングするためのマスクとして、自己組織化ブロック共重合体膜を使用し、エッチングされた開口を充填する一実施形態を示す。
    直線１１Ａ−１１Ａに沿って描かれた、図１１に示された基板の一部の立面断面図である。
    直線１１Ｂ−１１Ｂに沿って描かれた、図１１に示された基板の断面図である。
    その後の段階における図８の基板の俯瞰図であり、ポリマーブロックのうちの一つを除去した後基板をエッチングするためのマスクとして、自己組織化ブロック共重合体膜を使用し、エッチングされた開口を充填する一実施形態を示す。
    直線１２Ａ−１２Ａに沿って描かれた、図１２に示された基板の一部の立面断面図である。
    直線１２Ｂ−１２Ｂに沿って描かれた、図１２に示された基板の断面図である。
    その後の段階における図８の基板の俯瞰図であり、ポリマーブロックのうちの一つを除去した後基板をエッチングするためのマスクとして、自己組織化ブロック共重合体膜を使用し、エッチングされた開口を充填する一実施形態を示す。
    直線１３Ａ−１３Ａに沿って描かれた、図１３に示された基板の一部の立面断面図である。
    直線１３Ｂ−１３Ｂに沿って描かれた、図１３に示された基板の断面図である。] 図１ 図１１ 図１２ 図１３ 図２ 図３ 図５ 図６ 図７ 図８
    発明を実施するための最良の形態

    [0008] 図面に関連する以下の記述は、本発明の実施形態に従うデバイスおよび方法の例示的実施例を提供する。このような記述は、例示的な目的のみのためであって、それを限定する目的のためのものではない。]
    [0009] 本出願の文脈においては、用語“半導体基板”“半導電性基板”“半導電性ウェーハフラグメント”“ウェーハフラグメント”もしくは“ウェーハ”は、半導体ウェーハ（それ自体もしくは他の材料をその上に含むアセンブリのいずれか）および半導電性材料層（それ自体もしくは他の材料をその上に含むアセンブリのいずれか）などのバルク半導電性材料を含むがそれに限定はされない半導体材料を含むあらゆる構造を意味するものとして理解されるであろう。用語“基板”は、上述された半導電性基板、ウェーハフラグメントもしくはウェーハを含むがそのいずれにも限定はされないあらゆる支持構造のことを称する。]
    [0010] 本明細書で使用される“Ｌ０”は、自己組織化（ＳＡ）ブロック共重合体からアニーリングによって自己組織化する構造の固有の周期性もしくはピッチ値（バルク周期もしくは繰り返しユニット）である。本明細書で使用される“ＬＢ”は、一つ以上の成分ホモポリマーを有するブロック共重合体のブレンドの周期性もしくはピッチ値である。“Ｌ”は、本明細書においては、ブロック共重合体もしくはブレンドの円筒の中心間の円筒のピッチ、または円筒の間隔を示すために使用され、“Ｌ０”は純粋なブロック共重合体に対して、“ＬＢ”は共重合体ブレンドに対して等価である。]
    [0011] 本発明の実施形態においては、ポリマー材料（例えば、膜、層）は、空気界面における両ポリマードメインとともに、ブロック共重合体の誘導自己組織化によって準備される。ブロック共重合体材料は、アニーリング後に成分ポリマーブロックのミクロ相分離によって、周期的構造へと自然に組織化し、トレンチ内にナノメートルスケール寸法における垂直方向円筒の秩序ドメインを形成する。]
    [0012] 図１−図８に関連して、本発明の一実施形態に従う、ナノメートルスケールで、垂直方向円筒の一次元（１−Ｄ）アレイを画定する自己組織化ブロック共重合体材料を作製するための方法が示される。] 図１ 図８
    [0013] 記述された実施形態は、溶媒雰囲気下での円筒相ブロック共重合体の熱アニーリングを含む。このアニーリングが、グラフォエピタキシー技術と組み合わせて実施される。グラフォエピタキシー技術は、両ポリマーブロックに対して中性湿潤である材料で構成された底面と、あるポリマーブロックに対して優先的に湿潤である側壁および終端と、を有し、ガイドとしてリソグラフィーによって画定されたトレンチを使用して、ブロック共重合体の自己組織化を誘発するための制約として機能する。ブロック共重合体は、トレンチ底面に対して垂直に配向されたポリマーマトリクスにおける円筒の単一列の秩序のある１−Ｄアレイへと自己組織化し、トレンチ側壁に対してレジスト化される。幾つかの実施形態においては、二列以上の垂直方向円筒を、各トレンチ内に形成することができる。]
    [0014] 図１−図１Ｂに示されるように、基板１０が提供され、これは、例えば、他の材料の中でもとりわけ、シリコン、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、シリコン酸炭化物でありうる。さらに示されるように、導電性ライン１２（もしくは、例えば半導電性領域などの他のアクティブ領域）が基板１０内に配置される。] 図１ 図１Ｂ
    [0015] あらゆる記述された実施形態においては、単一のトレンチもしくは複数のトレンチを基板内に形成することができ、それは、ライン（もしくは他のアクティブ領域）のアレイの全幅に及ぶ可能性がある。本発明の実施形態においては、基板１０は、ピッチＬで導電性ライン１２（もしくは他のアクティブ領域）のアレイを有するように提供される。トレンチもしくは複数のトレンチは、アクティブ領域１２（例えば、ライン）上に形成され、ブロック共重合体材料がアニーリングされるとき、各円筒は、単一のアクティブ領域１２（例えば導電性ライン）上に配置される。幾つかの実施形態においては、複数のトレンチは、Ｌの５％以下でお互いに対して配置されるかわずかにオフセットされた、隣接する各トレンチ１８の終端（２４）を有するように形成され、隣接するトレンチ内の円筒は、同一のライン１２上に配列され、配置される。]
    [0016] 示された実施形態においては、中性湿潤材料１４（例えば、ランダム共重合体）は、基板１０上に形成される。材料層１６（もしくは一つ以上の材料層）は、その後、中性湿潤材料上に形成され、図２−図２Ｂに示されるように、導電性ライン１２のアレイに対して垂直に配向されたトレンチ１８を形成するためにエッチングされる。材料層１６の一部は、トレンチの外側およびトレンチの間に、スペーサ２０を形成する。トレンチ１８は、対立する側壁２２、対立する終端２４、底面２６、幅（ｗｔ）、長さ（ｌｔ）、および深さ（Ｄｔ）で構成される。] 図２ 図２Ｂ
    [0017] 別の実施形態においては、図３に示されるように、材料層１６’は基板１０’上に形成され、トレンチ１８’を形成するためにエッチングされ、図４に示されるように、中性湿潤材料１４’はその後トレンチ底面２６’上に形成することができる。例えば、ランダム共重合体材料は、トレンチ１８’内に堆積することができ、中性湿潤材料層を形成するために架橋することができる。スペーサ２０’上などのトレンチ外側の表面上の材料（例えば、架橋されていないランダム共重合体）は、その後除去することができる。] 図３ 図４
    [0018] （示されるような）単一もしくは複数のトレンチ１８は、Ｌ（１０−１００ｎｍ）のスケールでパターン化することが可能な暴露システムを有するリソグラフィーツールを使用して、形成することができる。このような暴露システムは、本技術分野で既知の、例えば、極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィー、近接Ｘ線および電子ビーム（ｅ−ビーム）リソグラフィーを含む。従来のフォトリソグラフィーは、（最小で）約５８ｎｍフィーチャを実現することができる。]
    [0019] “ピッチダブリング”もしくは“ピッチマルチプリケーション”と呼ばれる方法は、その最小ピッチを超えてフォトリソグラフィー技術の性能を拡張するために使用することもでき、例えば、米国特許整理番号5,328,810（Lowreyら）、米国特許整理番号7,115,525（Abatchevら）、US2006/0281266（Wells）およびUS2007/0023805（Wells）に記述されている。簡潔に言うと、ラインのパターンは、基板を被覆する拡張可能材料層を被覆するフォトレジスト材料内にフォトリソグラフィーによって形成され、拡張可能材料層はエッチングされてプレースホルダもしくはマンドリルを形成し、フォトレジストは剥がされて、マンドリルの側面上にスペーサが形成され、マンドリルはその後除去されて、基板をパターン化するためのマスクとしてスペーサを残す。したがって、最初のフォトリソグラフィーが１フィーチャと１スペースを画定するパターンを形成した場合には、同一の幅が、いまや、スペーサによって画定されたスペースとともに、２フィーチャと２スペースを画定する。その結果として、フォトリソグラフィー技術で生じうる最小フィーチャサイズは、約３０ｎｍ以下へと効率的に減少する。]
    [0020] トレンチ内の垂直方向のナノ円筒の単一（１−Ｄ）アレイもしくは層を形成する上での要因は、トレンチの幅（ｗｔ）および深さ（Ｄｔ）、所望のピッチ（Ｌ）を得るためのブロック共重合体もしくはブレンドの形成、トレンチ内のブロック共重合体材料の厚さ（ｔ）を含む。]
    [0021] 例えば、両方の成分ホモポリマーの追加による三種ブレンドの形成によって、トレンチの幅（ｗｔ）が減少する、ならびに／または、ブロック共重合体の周期性（Ｌ値）が増加するにつれて、トレンチの中心内の垂直円筒の、二列からの一列へのシフトが生じる。ｘ軸およびｙ軸両方におけるトレンチ側壁の境界条件は、各トレンチがｎ個のフィーチャ（例えば、円筒）を包含する構造を課す。例えば、中性湿潤底面を有する７５ｎｍ幅のトレンチへと堆積された、３５ｎｍのピッチもしくはＬ値を有するブロック共重合体もしくはブレンドは、アニーリングによって、結果として、１７．５ｎｍ直径（＝０．５＊Ｌ）の垂直円筒のジグザグパターンを生じる。その垂直円筒は、トレンチの中心に向かう側壁と配列された垂直円筒の単一列というよりはむしろ、トレンチの長さ（ｌｔ）に対して、ピッチ距離の約１／２（約０．５＊Ｌ）の分だけオフセットされる。]
    [0022] 示された実施形態においては、トレンチ１８は、ブロック共重合体の約１．５−２＊Ｌの幅（ｗｔ）（もしくは、１．５−２Ｘピッチ値）で構成され、キャスティングされた約Ｌのブロック共重合体材料（もしくはブレンド）は、アニーリングによって、Ｌに等しいかまたは約Ｌの隣接円筒の中心間ピッチ距離（ｐ）を有する、垂直円筒（直径＝０．５＊Ｌ）の単一列へと自己組織化する。例えば、約５０ｎｍピッチ値もしくはＬを有する円筒相ブロック共重合体の使用においては、トレンチ１８の幅（ｗｔ）は、約１．５−２＊５０ｎｍか約７５−１００ｎｍでありうる。トレンチの長さ（ｌｔ）は、ｎ＊Ｌに等しいかまたは約ｎ＊Ｌ、またはＬの整数倍であり、通常約ｎ＊１０から約ｎ＊１００ｎｍの範囲内にある（ただし、ｎはフィーチャもしくは構造（例えば、円筒）の数である）。トレンチ１８の深さ（Ｄｔ）は、Ｌに等しいかそれよりも大きい（Ｄ＞Ｌ）。隣接するトレンチ間のスペーサ２０の幅は、変化する可能性があり、通常約Ｌから約ｎ＊Ｌである。幾つかの実施形態においては、トレンチ寸法は約２０−１００ｎｍの幅（ｗｔ）、約１００−２５０００ｎｍの長さ（ｌｔ）、約１０−１００ｎｍの深さ（Ｄｔ）である。]
    [0023] （図５−図５Ｂに示されるように）Ｌ０に等しいかまたは約Ｌ０の固有ピッチを有する自己組織化円筒相ブロック共重合体材料２８（もしくはＬＢに等しいかまたは約ＬＢのピッチを有するよう混合されたブロック共重合体とホモポリマーとの３種ブレンド）は、通常は膜としてトレンチ１８へと堆積される。] 図５ 図５Ｂ
    [0024] ブロック共重合体（もしくはブレンド）は、全ポリマーブロックがトレンチ底面上の中性湿潤材料に対して等価な優先性を有するように構成される。ブロック共重合体材料は、欠陥許容性、開発容易性および／もしくはあるブロックの除去の容易性などの所望の特性を提供するように構成することができる。本発明の幾つかの実施形態においては、ブロック共重合体もしくはブレンドは、少数ドメインを選択的に除去できるように構成される。]
    [0025] ジブロック共重合体の実施例は、示された実施形態において使用されたＰＳ−ｂ−ＰＶＰとともに、とりわけ、例えば、ポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（ビニルピリジン）（ＰＳ−ｂ−ＰＶＰ）、ポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ）もしくは他のＰＳ−ｂ−ポリ（アクリレート）もしくはＰＳ−ｂ−ポリ（メタクリレート）、ポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（ラクチド）（ＰＳ−ｂ−ＰＬＡ）、ポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート）（ＰＳ−ｂ−ＰｔＢＡ）およびポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（エチレン−コ−ブチレン）（ＰＳ−ｂ−（ＰＳ−ｃｏ−ＰＢ））、ポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（エチレンオキサイド）（ＰＳ−ｂ−ＰＥＯ）、ポリ（イソプレン）−ｂ−ポリ（エチレンオキサイド）（ＰＩ−ｂ−ＰＥＯ）、ポリ（イソプレン）−ｂ−ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＩ−ｂ−ＰＭＭＡ）、ポリ（ブタジエン）−ｂ−ポリ（エチレンオキサイド）（ＰＢＤ−ｂ−ＰＥＯ）、ＰＳとＰＥＯブロックの間のトリフェニルメチル（トリチル）エーテル結合などの、開裂可能な接合を有するＰＳ−ｂ−ＰＥＯブロック共重合体（ＫＣｌ、ＫＩ、ＬｉＣｌ、ＬｉＩ、ＣｓＣｌ、もしくはＣｓＩなどの塩の希釈濃度（例えば、約１重量％）で任意に錯体形成される（Zhangら、Adv. Mater. 2007, 19, 1571-1576））、自己組織化円筒の直径よりも小さいサイズのＰＥＯコーティングされた金ナノ粒子をドープされたＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡブロック共重合体（Parkら、Macromolecules, 2007, 40(11), 8119-8124）、および、ジチオール基などの開裂可能な接合を有するポリ（スチレン）−ｂ−ポリ（２−ビニルピリジン）（ＰＳ−ｂ−Ｐ２ＶＰ）ブロック共重合体を含む。他のタイプのブロック共重合体（すなわち、トリブロックもしくはマルチブロック共重合体）が使用される可能性がある。トリブロック共重合体の実施例は、とりわけ、ポリ（スチレン−ｂ−メチルメタクリレート−ｂ−エチレンオキサイド）（ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ−ｂ−ＰＥＯ）などのＡＢＣ共重合体、ならびに、ＰＳ−ＰＭＭＡ−ＰＳ、ＰＭＭＡ−ＰＳ−ＰＭＭＡ、ＰＳ−ｂ−ＰＩ−ｂ−ＰＳなどのＡＢＡ共重合体を含む。]
    [0026] ミクロ相分離されたドメインのドメインサイズおよび周期（Ｌ０）を含む膜形態は、ブロック共重合体の鎖長（分子量、ＭＷ）と、ジブロック共重合体のＡＢブロックの体積分率によって制御することができ、（とりわけ）円筒状の形態を生成する。例えば、二つのブロックの通常約６０：４０から８０：２０（Ａ：Ｂ）の割合の体積分率に対しては、ジブロック共重合体はミクロ相分離し、ポリマーＡのマトリクス内のポリマーＢの周期性円筒状ドメインへと自己組織化する。ＰＳのマトリクスにおける直径約１４ｎｍの円筒状ＰＶＰドメインを形成するための円筒形成ＰＳ−ｂ−ＰＶＰ共重合体材料（Ｌｏ〜２８ｎｍ）の実施例は、４４．５ｋｇ／ｍｏｌの全分子量（Ｍｎ）を有し、約７０重量％のＰＳと３０重量％のＰＶＰで構成される。ＰＳのマトリクスにおける直径約２０ｎｍの円筒状ＰＭＭＡドメインを形成するための円筒形成ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ共重合体材料（Ｌ０＝３５ｎｍ）の実施例は、６７ｋｇ／ｍｏｌの全分子量（Ｍｎ）を有し、約７０重量％のＰＳと３０重量％のＰＭＭＡで構成される。別の実施例として、ＰＳ−ｂ−ＰＬＡ共重合体材料（Ｌ＝４９ｎｍ）は、約６０．５ｋｇ／ｍｏｌの全分子量（Ｍｎ）を有し、約７１重量％のＰＳと２９重量％のＰＬＡで構成することができ、ＰＳマトリクスにおいて直径約２７ｎｍの円筒状ＰＬＡドメインを形成する。]
    [0027] ブロック共重合体のＬ値は、例えば、ブロック共重合体の分子量を調整することによって改変することができる。ブロック共重合体材料は、ブロック共重合体と、そのブロック共重合体におけるポリマーブロックと同タイプのポリマーの一つ以上のホモポリマー（ＨＰ）とを含む二種もしくは三種のブレンドとして形成することもでき、ポリマードメインのサイズを増加させ、Ｌ値を増加させるブレンドを生成する。ブレンドにおけるホモポリマーの濃度は、０から約６０重量％の範囲にわたる可能性がある。]
    [0028] 三種のジブロック共重合体ブレンドの実施例は、ＰＳ−ｂ−Ｐ２ＶＰ／ＰＳ／Ｐ２Ｖ２ブレンドであり、例えば、６０重量％、３２．５Ｋ／１２ＫのＰＳ−ｂ−Ｐ２Ｖ２、２０重量％、１０ＫのＰＳ、２０重量％、１０ＫのＰ２Ｖ２のブレンドである。三種のジブロック共重合体ブレンドの別の実施例は、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ／ＰＳ／ＰＭＭＡブレンドであり、例えば、６０重量％、４６Ｋ／２１ＫのＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ、２０重量％、２０Ｋのポリスチレンおよび２０重量％、２０Ｋのポリ（メチルメタクリレート）のブレンドである。さらに別の実施例は、ＰＳ−ｂ−ＰＥＯ／ＰＳ／ＰＥＯの６０：２０：２０（重量％）のブレンドであるか、または、約８５−９０重量％のＰＳ−ｂ−ＰＥＯと１０−１５重量％までのＰＥＯとのブレンドである。追加されるＰＥＯホモポリマーは、ＰＳの表面エネルギーよりもＰＥＯドメインの表面エネルギーを少なくとも部分的に低下させるよう機能してもよいと考えられる。]
    [0029] 本実施形態においては、トレンチ底面２６は、中性湿潤（共重合体の両ブロックに対して等価親和性）であるように構成され、トレンチ底面に対して垂直に配向された円筒状ポリマードメイン形成を誘発する。トレンチ側壁２２および終端２４は、ブロック共重合体のあるブロックに優先的に湿潤であるように構成され、ポリマーブロックが自己組織化するにつれて、側壁に対する円筒のレジスト化を誘発する。トレンチ表面の湿潤特性に応じて、アニーリングによって、円筒相ブロック共重合体の優先的もしくは少数ブロックは自己組織化し、トレンチの長さに対してポリマーマトリクスの中心において円筒状ドメインの単一列を形成し、トレンチの側壁および終端に対して分離し、薄い界面ブラシもしくは湿潤層を形成する（図６−図６Ｂに示されるように）。エントロピー力は、中性湿潤表面を両ブロックによって湿潤にさせ、エンタルピー力は、優先ブロック（例えば、少数ブロック）によって、優先的湿潤表面を湿潤にさせる。] 図６ 図６Ｂ
    [0030] 優先的に湿潤な表面を提供するために、例えば、ＰＳ−ｂ−ＰＶＰ（もしくはＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡなど）ブロック共重合体の使用においては、材料層１６は、他の材料の中でも、とりわけ、ＰＶＰ（もしくはＰＭＭＡなど）ブロックに対して優先的に湿潤を示す、シリコン（自然酸化物を有する）、酸化物（例えばシリコン酸化物ＳｉＯｘ）シリコン窒化物、シリコン酸炭化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、シリコン酸窒化物、ならびにメタクリレートベースのレジスト、およびポリジメチルグルタルイミドレジストなどのレジスト材料で構成することができる。ＰＳ−ｂ−ＰＶＰ円筒相ブロック共重合体材料の使用においては、例えば、ブロック共重合体材料は自己組織化して、ＰＳマトリクスにおける薄い界面層およびＰＶＰの円筒を形成する。]
    [0031] 他の実施形態においては、−ＯＨ含有部分を有するよう改変されたポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）ポリマーなどの優先的に湿潤な材料（例えば、ヒドロキシエチルメタクリレート）は、例えば、スピンコーティングとその後の（例えば約１７０℃までの）加熱によってトレンチ表面上に適用することができ、末端ＯＨ基がトレンチの酸化物側壁２２および終端２４に対してエンドグラフトするのを可能にする。グラフトされていない材料は、適切な溶媒（例えばトルエン）で洗浄することによって除去することができる。例えば、Manskyらによる、Science, 1997, 275, 1458-1460およびInらによるLangmuir, 2006, 22, 7855-7860を参照されたい。]
    [0032] 中性湿潤なトレンチ底面２６は、共重合体材料の両ブロックが、トレンチ底面を湿らせることを可能にする。中性湿潤材料１４は、図２−図２Ｂに示されるように、基板１０上に中性湿潤ポリマー（例えば、中性湿潤ランダム共重合体）を適用し、材料層１６を形成し、その後、下部中性湿潤材料を露出するためトレンチをエッチングすることによって提供することができる。] 図２ 図２Ｂ
    [0033] 図３−図４に示された別の実施形態においては、中性湿潤ランダム共重合体材料は、例えば、図４に示されるようなトレンチ内へのキャスティング（鋳造）もしくはスピンコーティングによるブランケットコートとして、トレンチ１８’を形成した後に適用することができる。ランダム共重合体材料は、その後、熱的に処理されて、毛細管現象によってトレンチの底面へと材料を流入させ、その結果として、層（マット）１４’は架橋された中性湿潤ランダム共重合体で構成される。別の実施形態においては、トレンチ内のランダム共重合体材料は、（例えば、マスクもしくはレチクルを介して）露光されて、トレンチ内のランダム共重合体を架橋し、中性湿潤材料１４’を形成する。（例えば、スペーサ２０’上の）トレンチ外側の架橋されていないランダム共重合体材料は、その後除去することができる。] 図３ 図４
    [0034] 中性湿潤表面は、ブロック共重合体におけるモノマーと一致したモノマーで構成されたランダム共重合体の適用によって特別に準備され、各モノマーのモル分率が、中性湿潤表面を形成するために適切なよう調整することができる。例えば、ＰＳ−ｂ−ＰＶＰブロック共重合体の使用においては、中性湿潤材料１４は、ＰＳおよびＰＶＰに対して非優先的もしくは中性湿潤を示す光架橋可能なランダムＰＳ−ｒ−ＰＶＰの薄膜から形成することができ、基板１０上に（例えばスピンコーティングによって）キャスティングすることができる。ランダム共重合体材料は、（酸化物基板上の）化学的グラフト、または（あらゆる表面の）熱的もしくは、光分解による架橋によって配置を固定することができ、ＰＳおよびＰＶＰに対して中性湿潤であり、かつ、ブロック共重合体材料がその上にキャスティングされたとき、架橋によって不溶性であるマットを形成する。別の実施例においては、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡの使用において、（例えば、約０．６モル分率のスチレンを含有する）光架橋可能なＰＳ−ｒ−ＰＭＭＡランダム共重合体を使用することができる。]
    [0035] 基板１０が（自然酸化物を有する）シリコンである場合の実施形態においては、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡに対して別の中性湿潤表面を、水素終端シリコンによって提供することができる。トレンチ１８の底面２６は、例えば水素プラズマでエッチングすることができ、酸化物材料を除去して、水素終端シリコンを形成する。それは、ブロック共重合体材料の両ブロックに対して等価親和性を有する中性湿潤である。水素終端シリコンは、従来のプロセス、例えば、フッ化水素（ＨＦ）水溶液および緩衝化ＨＦもしくはフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）に対する暴露、ＨＦ蒸気処理、もしくは水素プラズマ処理（例えば原子状水素）による（自然酸化物の存在する、約１２−１５Åの）シリコン基板のフッ化物イオンエッチングによって、準備することができる。]
    [0036] 水素終端シリコン基板は、さらに、基板上に選択的にＰＳ−ｒ−ＰＶＰ、ＰＳ−ｒ−ＰＭＭＡなどのランダム共重合体をグラフトすることによって処理することができ、結果として、対応するブロック共重合体（例えば、ＰＳ−ｂ−ＰＶＰ、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡなど）に対して中性湿潤表面を生じる。例えば、ＰＳ−ｒ−ＰＭＭＡランダム共重合体の中性湿潤層は、表面へとポリマーを結合する、ジビニルベンゼンなどのジオレフィンリンカーを使用する、スチレンおよびメチルメタクリレートのinsituフリーラジカル重合によって提供することができ、約１０−１５ｎｍの厚さの膜を生成する。]
    [0037] 別の実施形態においては、再度図３—図４に関連して、中性湿潤ランダム共重合体材料１４’は、材料層１６’およびトレンチ１８’の形成後に適用することができ、（基板１０’の材料で構成された）トレンチ底面２６’に対して選択的に反応し、（材料層１６’で構成された）トレンチ側壁２２’および終端２４’に対しては反応しない。例えば、エポキシ基を含有するランダム共重合体（もしくはホモポリマーとブロック共重合体界面活性剤との適切なブレンド）は、シリコン酸化物もしくはシリコンと比較して、シリコン窒化物およびシリコン酸窒化物表面上の終端アミン官能基（例えば、−ＮＨおよび−ＮＨ２）に選択的に反応する。トレンチ底面２６’がシリコンもしくはポリシリコンであり、側壁２２’が酸化物（例えば、ＳｉＯｘ）などの材料である別の実施例においては、底面は、水素終端シリコンを形成するために処理することができ、ランダム共重合体材料１４’（例えば、ＰＳ−ｒ−ＰＶＰ、ＰＳ−ｒ−ＰＭＭＡなど）は、底面表面のみでinsituで形成することができる。] 図３ 図４
    [0038] 別の実施形態においては、（例えば、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡおよびＰＳ−ｂ−ＰＥＯに対する）中性湿潤表面は、例えばD.H.ParkによるNanotechnology 18(2007), p.355304に記述されているように、酸化物（例えばＳｉＯ２）に対してグラフトされた３−（パラメトキシフェニル）プロピルトリコロシランなどのトリクロロシランベースＳＡＭの自己組織化単層（ＳＡＭ）をグラフトすることによって提供することができる。]
    [0039] 別の実施形態においては、（複数の）ヒドロキシル基を有するポリスチレン（ＰＳ）およびポリメタクリレート（ＰＭＭＡ）の中性湿潤ランダム共重合体（例えば、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（Ｐ（Ｓ−ｒ−ＭＭＡ−ｒ−ＨＥＭＡ））（例えば約５８重量％ＰＳ）は、約４８時間約１６０℃で加熱することによって、約５−１０ｎｍ厚の中性湿潤層１４として、基板１０（例えば酸化物）に対して選択的にグラフトすることができる。例えば、InらによるLangmuir, 2006, 22, 7855-7860を参照されたい。]
    [0040] さらに別の実施形態においては、水酸基終端ホモポリマーおよび対応する低分子量ブロック共重合体のブレンドは、基板に対してグラフト（共有結合）することができ、他のブロック共重合体のなかでもとりわけ、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡおよびＰＳ−ｂ−Ｐ２ＶＰに対して中性湿潤界面層（例えば、約４−５ｎｍ）を形成する。ブロック共重合体は、グラフト前にホモポリマーブレンドを乳化するよう機能することができる。例えば、約２０−５０重量％（もしくは約３０−４０重量％）のＯＨ終端ホモポリマー（例えばＭｎ＝６Ｋ）と、約８０−５０重量％（もしくは約７０−６０重量％）の低分子量ブロック共重合体（例えば５Ｋ−５Ｋ）とのブレンドの（例えばトルエンにおける）約１重量％溶液は、基板１０（例えばＳｉＯ２）上にスピンコーティングされ、（例えば１６０℃で）加熱（焼付）され、例えば溶媒洗浄（例えばトルエン）によってグラフトされていない（非結合）ポリマー材料が除去される。例えば、中性湿潤材料は、約３０重量％のＰＳ−ＯＨ（Ｍｎ＝６Ｋ）、ＰＭＭＡ−ＯＨ（Ｍｎ＝６Ｋ）（重量比４：６）および７０重量％のＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ（５Ｋ−５Ｋ）のブレンド、または、ＰＳ−ＯＨ（６Ｋ）、Ｐ２ＶＰ−ＯＨ（６Ｋ）およびＰＳ−ｂ−２ＰＶＰ（８Ｋ−８Ｋ）の三種のブレンドなどから準備することができる。]
    [0041] ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡに対して中性湿潤である表面は、スチレンおよびメチルメタクリレートのベンゾシクロブテンもしくはアジドメチルスチレンによって官能化されたランダム共重合体（例えば、ポリ（スチレン−ｒ−ベンゾシクロブテン−ｒ−メチルメタクリレート（ＰＳ−ｒ−ＰＭＭＡ−ｒ−ＢＣＢ））など、光もしくは熱的に架橋可能なランダム共重合体のブランケット層をスピンコーティングすることによって準備することもできる。例えば、このようなランダム共重合体は、約４２重量％のＰＭＭＡ、約（５８−ｘ）重量％のＰＳおよびｘ重量％（例えば約２−３重量％）のポリベンゾシクロブテンもしくはポリ（パラ−アジドメチルスチレン）のいずれかを含むことができる。アジドメチルスチレンによって官能化されたランダム共重合体は、ＵＶによって光架橋される（例えば、約１５秒から約３０分間の１−５ＭＷ／ｃｍ２の暴露）か、または（例えば、約４時間、約１７０℃において）熱的に架橋されて、中性湿潤層１４として架橋されたポリマーマットを形成する。ベンゾシクロブテンによって官能化されたランダム共重合体は、（例えば、約４時間、約２００℃において、もしくは約１０分間約２５０℃において）熱的に架橋することができる。]
    [0042] 図５−図５Ｂに示されるように、Ｌ０に等しいかまたは約Ｌ０の固有ピッチを有する自己組織化円筒相ブロック共重合体材料２８（もしくはＬＢに等しいかまたは約ＬＢのピッチを有するよう混合されたブロック共重合体とホモポリマーとの３種ブレンド）は、ブロック共重合体材料のＬ値と等しいかまたは、ほぼその厚さ（ｔ１）まで（例えば、Ｌの約±２０％）、トレンチ１８内にキャスティングもしくは堆積することができる。アニーリング後（例えば、図６Ａ）、厚さ（ｔ２）はＬ値に等しいか約Ｌであり、ブロック共重合体材料は自己組織化して、各トレンチ１８内の単一列におけるポリマーマトリクス内の、約０．５＊Ｌ（例えば、５−５０ｎｍ、もしくは約２０ｎｍ）の直径を有する円筒の単一層を形成する。ブロック共重合体２８の厚さは、例えば、偏光解析法技術によって測定することができる。] 図５ 図５Ｂ 図６Ａ
    [0043] ブロック共重合体材料は、例えばジクロロエタン（ＣＨ２Ｃｌ２）もしくはトルエンなどの有機溶媒における、共重合体の希薄溶液（例えば、約０．２５−２重量％溶液）から、スピンキャスティング（スピンコーティング）によって堆積することができる。毛細管力は、ブロック共重合体材料２８を（例えば、単層よりも大きく）トレンチ１８内へと引き込む。示されるように、ブロック共重合体材料の薄層もしくは膜２８ａはトレンチの外側、例えばスペーサ２０上の材料層１６上に堆積することができる。俯瞰図からわかるように、アニーリングによって、薄膜２８ａは、トレンチ内へ流入して、材料層１６上に無組織ブラシ層を残す。]
    [0044] ブロック共重合体（ＢＣＰ）材料２８は、その後、ガラス転移温度以上で、部分的に飽和した濃度の有機溶媒を含有する蒸気相以下に加熱され、トレンチ表面の優先的湿潤および中性湿潤に従って、ポリマーブロックを相分離、かつ、自己組織化させて、図６−図６Ｂに示されるように自己組織化ポリマー材料３０を形成する。特定の温度における中性湿潤蒸気界面を達成するための溶媒蒸気の適切な分圧は、使用されるブロック共重合体に少なくとも部分的に依存し、経験的に決定することができる。] 図６ 図６Ｂ
    [0045] ブロック共重合体は、ブロック共重合体材料のガラス転移温度（Ｔｇ）以上で分解もしくは滅成温度（Ｔｄ）以下の熱アニーリング温度で加熱される。例えば、ＰＳ−ｂ−ＰＶＰブロック共重合体材料は、自己組織化形態を達成するため、約１−２４時間、溶媒蒸気雰囲気において約１５０−２７５℃の温度でアニーリングすることができる。ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡブロック共重合体材料は、自己組織化形態を達成するため、約１−２４時間、溶媒蒸気雰囲気において、約１５０−２７５℃の温度でアニーリングすることができる。]
    [0046] 大部分の真空における熱アニーリングの適用においては、空気界面は、ポリマードメインのうちの一つに対して優先的に湿潤であり、ＢＣＰ材料は、垂直構造へと配向されることはない。本発明の実施形態においては、加熱の間、ＢＣＰ材料２８は両ブロックに対して“良好な”溶媒（すなわち、両方の構成ブロックを良好に溶媒和する中性有機溶媒）の溶媒蒸気へと暴露される。]
    [0047] 通常、溶媒アニーリングは二段階から構成される。第一段階においては、ＢＣＰ材料は、膜を可塑化して鎖可動性を増加させるよう作用する溶媒蒸気に対して暴露され、それによってドメインを混合して、ポリマー材料のキャスティング由来の固有の秩序を失わせる。使用される有機溶媒は、ブロック共重合体材料におけるその溶解性に少なくとも部分的に基づいており、十分な溶媒分子がブロック共重合体材料に入り、ポリマードメインの秩序から無秩序への遷移を促進し、必要とされる分子の最配列を可能にする。溶媒の実施例は、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジメソキシエタン、エチルアセテート、シクロヘキサノンなどの芳香族溶媒、ならびに、クロロホルム、メチレンクロライド、クロロホルム／オクタン混合物などの塩素化溶媒をとりわけ含む。第二段階においては、基板は、溶媒蒸気から除去され、溶媒および溶媒蒸気は、ポリマー材料外へと拡散して蒸発することができる。ブロック共重合他材料は、溶媒が材料から蒸発するにつれて、“乾燥”し始める。溶媒の蒸発は、高い指向性があり、ＢＣＰ材料の“上部”（表面）からＢＣＰ材料の“底面”へと広がる溶媒濃度勾配をトレンチ底面において形成する。これによって、（界面における溶媒の分圧によって中性湿潤である）空気−表面界面で開始し、垂直方向円筒状ドメイン（３４）の形成を伴ってトレンチの底面へと向かって駆動され、トレンチ側壁によって誘導され、空気界面（４６）から基板表面（トレンチ底面）へと完全に伸長する、構造の配向および自己組織化を誘発する。]
    [0048] 本発明の実施形態においては、溶媒によるＢＣＰ材料の膨張が許可されないように、基板１０およびＢＣＰ材料２８は、溶媒の沸点以上に加熱される。]
    [0049] ブロック共重合体材料上での部分的に飽和した溶媒蒸気相の使用は、溶媒アニーリングの第二段階と同様に、中性湿潤界面を提供する。ＢＣＰ材料と蒸気界面周囲の空気における溶媒濃度は、飽和状態かそれ以下に維持され、中性湿潤界面を維持し、両（もしくは全）ポリマーブロックは、蒸気界面を等しく湿潤にする。空気およびトレンチ底面の両方は、中性湿潤であり、ドメインは、膜層を通して垂直に配向し、優先的湿潤側壁は側面の秩序を誘発する。]
    [0050] アニーリングされた共重合体材料３０の結果として生じる形態（例えば、円筒の垂直配向）は、例えば、とりわけ、原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ）、透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）、走査電子顕微鏡法（ＳＥＭ）を使用して分析することができる。]
    [0051] 本発明の実施形態においては、アニーリングは、溶媒雰囲気中のトレンチ内のブロック共重合体を全体的に加熱するステップによって実施される。]
    [0052] 他の実施形態においては、ゾーンアニーリングが実施され、熱的エネルギー（例えば、加熱）の局所的適用によって、基板１０上のトレンチ内のブロック共重合体材料２８の一部もしくは一区画をアニーリングする。ゾーンアニーリングは、ブロック共重合体材料の迅速な（例えば、分単位での）自己組織化を提供することができる。]
    [0053] 例えば、図６−図８に逐次的に示されるように、（蒸気雰囲気中の）基板１０および熱的もしくは熱源３２（もしくは組み合わせられた加熱および冷却源）は、お互いに対して移動する（例えば、矢印）ことができ、熱が基板１０上（もしくは基板下）に適用される。初めに、ＢＣＰ材料の一部のみがガラス転移温度以上に加熱され、その後、加熱ゾーンは、基板を横切って（もしくは、その逆に）“引っ張られる”。例えば、熱源３２は、（示されていない）電動並進運動ステージなどの機構を使用して、並進運動設定速度（例えば、約０．０５−１０μｍ／秒）で基板１０を横切って移動することができる。基板を横切って加熱ゾーンを引っ張ることは、全体的な熱アニーリングと比較して、結果として、迅速な処理およびより良好な秩序のある構造を生じることができる。] 図６ 図８
    [0054] 幾つかの実施形態においては、冷から温への温度勾配を基板上（もしくは下）に提供することができ、制御された速度で基板の一部を加熱し、その後冷却することができる。他の実施形態においては、基板は温から冷への温度勾配へと暴露することができ、ＢＣＰ材料をアニーリングして、その後冷却する。]
    [0055] 他の実施形態においては、ＢＣＰ材料は秩序−無秩序温度以上に加熱して、その後、その温度以下（であるがガラス転移温度以上）に冷却することができ、例えば、欠陥を除去（融解）し、ブロック共重合体材料の秩序−無秩序温度（Ｔｏ−ｄ）が分解温度（Ｔｄ）以下である場合には、材料を再結晶化することができる。秩序−無秩序温度はブロック共重合体の温度依存性、Ｃｈｉ値、鎖ごとのモノマー総数、モノマー成分によって定義される。]
    [0056] 成分ポリマーブロックのうち、ガラス転移温度（Ｔｇ）以上に加熱されたブロック共重合体材料の一部だけが自己組織化し、十分に加熱されなかった材料の領域は無秩序で組織化されないままである。例えば、図６−図６Ｂに示されるように、最初は、トレンチ１８ａ内のブロック共重合体材料は加熱し、アニーリングすることができ、自己組織化材料３０を形成する。一方、トレンチ１８ｂ、１８ｃ内のアニーリングされていないブロック共重合体材料２８は、無秩序のままである。ガラス転移温度（Ｔｇ）以上に加熱されたブロック共重合体材料２８の一部だけが自己組織化する。その後、図７−図７Ａに示されるように、基板の隣接部分を選択的に加熱することができ、結果としてトレンチ１８ｂ内のブロック共重合体材料は自己組織化する。例えば、図８−図８Ａに示されるように、続いて基板の残りの領域の加熱を実施することができる。] 図６ 図６Ｂ 図７ 図７Ａ 図８ 図８Ａ
    [0057] アニーリングによって、円筒相ブロック共重合体材料２８は、ブロック共重合体組成物（例えば、Ｌに等しいかまたは約Ｌの固有ピッチを有するＰＳ−ｂ−ＰＶＰ）の特性および境界条件に応じて、ポリマー材料３０（例えば膜）へと自己組織化する。境界条件は、トレンチ１８の幅（ｗｔ）ならびに、両方のポリマーブロック（例えばランダムグラフト共重合体）に対して中性かまたは非優先的湿潤を示すトレンチ底面２６およびブロック共重合体の少数（優先）ブロック（例えば、ＰＶＰブロック）によって優先湿潤である側壁２２を含むトレンチ表面の湿潤特性、トレンチ内のブロック共重合体材料２６の表面と接触する中性もしくは非優先的溶媒の存在（もしくは、幾つかの実施形態においては、中性もしくは非優先的湿潤である膜または材料）によって提供される制約を含む。アニーリングによって、トレンチの側壁２２へとレジスト化され、それに対して平行な円筒を有する、多数ポリマーブロック（例えばＰＳ）のマトリクス３６内の少数ポリマー（優先的）ブロック（例えばＰＶＰ）の垂直方向円筒３４の一列（もしくは複数列）を生じる。円筒３４の直径は、通常、０．５＊Ｌに等しいかまたは約０．５＊Ｌ（例えば、円筒間の中心間距離の約１／２）である。さらには、少数（優先的）ブロック（例えばＰＶＰ）は、トレンチ１８の優先的湿潤側壁２２および終端２４に対して分離し、それらを湿潤にし、薄い界面もしくは通常、隣接する円筒３４間の中心間距離の約１／４の厚さを有する湿潤ブラシ層３４ａを形成する。例えば、ＰＶＰブロックの層は、酸化物界面を湿潤にし、酸化物材料から遠くに方向づけられたＰＳドメインを取り付けられる。]
    [0058] 幾つかの実施形態においては、自己組織化ブロック共重合体材料３０は、円筒状ドメイン（円筒）３４のアレイの単一層によって画定され、その各々は０．５＊Ｌに等しいか約０．５＊Ｌ（例えば、円筒間の中心間距離の約１／２）の直径で、トレンチの長さ（ｌｔ）に従う列において、円筒の数（ｎ）で、各円筒間の中心間距離（ピッチ距離ｐ）はＬに等しいかまたは約Ｌである。]
    [0059] 任意で、ブロック共重合体材料がアニーリングされて秩序化された後に、共重合体材料は、ポリマーセグメント（例えば、ＰＳセグメント）を架橋するために処理することができ、自己組織化ポリマーブロックの強度を固定し、かつ高める。ポリマーは、（例えば、深紫外線（ＤＵＶ）放射を含む紫外線（ＵＶ）放射に対する暴露によって）本質的に架橋するように構成することができるか、または、共重合体材料のポリマーブロックのうちの一つは、架橋剤を含有するように形成することができる。]
    [0060] 通常、（例えば、スペーサ１８上の）膜２８ａは、結果として自己組織化するほど十分な厚さを有しない。任意で、図８−図８Ａに示されるように、例えば、エッチング技術もしくは平坦化プロセスによって、非組織化薄膜２８ａは除去することができ、ほぼ均一な平面を提供する。例えば、トレンチ領域は、（示されていない）レチクルを介して選択的に露出することができ、トレンチ１８内のアニーリングされた自己組織化ポリマー材料３０のみを架橋し、その後、（例えば、スペーサ２０上の）ブロック共重合体材料２８ａの架橋されていない部分を除去するために、適切な溶媒（例えばトルエン）での洗浄を適用することができ、トレンチ内にレジスト化された自己組織化ポリマー材料を残し、トレンチ上／外側の材料層１６の表面を露出する。別の実施形態においては、アニーリングされたポリマー材料３０は、全体的に架橋することができ、フォトレジスト材料が適用されて、トレンチ領域外のポリマー材料２８ａの領域をパターン化かつ露出して、ポリマー材料２８ａの露出部分を、例えば、酸素（Ｏ２）プラズマ処理によって除去することができる。] 図８ 図８Ａ
    [0061] 図９に関連して、本発明の方法の別の実施形態においては、トレンチ内のブロック共重合体（ＢＣＰ）材料２８’の表面に対して、非優先的湿潤材料３７’を適用している間に、熱アニーリングが実施される。幾つかの実施形態においては、非優先的湿潤材料３７’は固体材料で構成され、その固体材料は、ＢＣＰ材料２８’上に物理的に配置することができ、例えば、架橋されたポリ（ジメチルシロキサン）（ＰＤＭＳ）エラストマー（例えば、Dow-CorningによるSylgard-184）もしくは他のエラストマーポリマー材料（例えば、シリコン、ポリウレタンなど）などの柔らかく、柔軟性もしくは弾性のある固体材料であり、中性湿潤である外部表面を提供する。固体材料は、（例えば、ランダム共重合体をグラフトすることによって）誘導体化することができ、それは中性湿潤表面を提供する。] 図９
    [0062] ブロック共重合体材料３８’の表面と接触する非優先的湿潤材料３７’とともに、熱アニーリングプロセスが実施され（矢印、図９Ａ−図９Ｂ）、それによって、トレンチ表面の優先的湿潤および中性湿潤ならびに被覆材料３７’の非優先的（中性）湿潤に応じて、ポリマーブロックを相分離させ、図１０Ａ−図１０Ｂに示されるように自己組織化ポリマー材料３０’を形成する。] 図１０Ａ 図１０Ｂ 図９Ａ 図９Ｂ
    [0063] アニーリング後、非優先的湿潤材料３７’は、図１０Ａに示されるように、アニーリングされたポリマー材料３０’との接点（矢印）から除去することができる。ＰＤＭＳもしくは他のエラストマー材料層３７’は、例えば、アニーリングされたポリマー材料の表面から材料を持ち上げる、もしくは剥ぐことによって除去することができる。さらには、水、アルコールなどのブロック共重合体材料３０’を溶解せず、相溶性を有する溶媒を（例えば、ソーキングによって）適用することができ、物理的除去を高めるためにエラストマー材料（例えば、ＰＤＭＳ）を浸透し、膨張させる。希薄フッ化物溶液（例えば、ＮＨ４Ｆ、ＨＦ、ＮａＦなど）も適用することができ、アニーリングされたポリマー材料からＰＤＭＳ材料を除去するためにそれをエッチングし、かつ、溶解させる。] 図１０Ａ
    [0064] 自己組織化に続いて、基板上に形成された垂直方向円筒のパターンは、所望の場合には、その後さらに処理することができ、例えば、自己組織化ブロック共重合体の一ブロックの選択的な除去を介して、下部基板１０へとナノサイズのフィーチャをパターン化するためのエッチングマスクを形成する。本方法に含まれるドメインサイズおよび周期（Ｌ）はブロック共重合体の鎖長（ＭＷ）によって決定されるため、解像度は、従来のフォトリソグラフィーなどの他の技術を上回ることができる。本技術を使用する処理コストは、同程度の解像度を有する極紫外線（ＥＵＶ）フォトリソグラフィーよりも大幅に小さい。]
    [0065] 例えば、図１１−図１１Ｂに示されるように、一実施形態においては、エッチングマスク３８は、自己組織化ポリマー材料３０の円筒状ポリマードメイン３４を選択的に除去することによって形成することができ、トレンチ底面２６における下部基板１０を露出するために、ポリマーマトリクス３６（例えばＰＳ）内に開口４０を生成する。例えば、円筒状ドメイン３４は、選択的ウェットエッチング（例えば、ＵＶ暴露／酢酸現像によるＰＭＭＡおよびＰＬＡ、水酸化ナトリウムを含有する含水メタノール混合物によるＰＬＡ、含水ヨウ化水素酸もしくは水によるＰＥＯなど）もしくは選択的反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセスによって除去することができる。ブロック共重合体が開裂可能なリンカー基を含む実施形態においては、膜は、マイナードメインに対して選択的な溶媒に暴露することができる。例えば、その溶媒は、ＰＶＰに対してはアルコール、ＰＥＯもしくはＰＬＡに対しては水、ＰＭＭＡに対しては酢酸であり、マイナードメインを除去（例えば洗浄）するための開裂剤を含有する。図１２−図１２Ｂに示されるように、残存する多孔質ポリマー（例えばＰＳ）マトリクス３６は、その後、リソグラフィーテンプレートもしくはマスクとして使用することができ、下部基板１０（もしくは下層）における導電性ライン１２もしくは他のアクティブ領域（例えば、半導電性領域など）に対して、ナノメートルサイズの範囲（例えば、約１０−１００ｎｍ）で一連の円筒形状開口もしくは接触穴４２をエッチングする（矢印）。開口４２は、例えば、選択的反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセスを使用して形成することができる。] 図１１ 図１１Ｂ 図１２ 図１２Ｂ
    [0066] 所望の場合には、その後、さらなる処理を実施することができる。例えば、図１３−図１３Ｂに示されるように、残存ポリマーマトリクス３６は（例えば、プラズマＯ２エッチングなどの酸化プロセスによるＰＳ）除去することができ、基板開口４２は、とりわけＣｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉ３Ｎ４などの金属か金属合金などの材料４４で充填することができ、導電性ライン１２に対する円筒状接点のアレイを形成する。基板における円筒状開口４２は、金属−絶縁体−金属積層で充填することもでき、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＳｒＴｉＯ３などの絶縁性材料でキャパシタを形成する。] 図１３ 図１３Ｂ
    [0067] 本発明の実施形態は、溶媒アニーリングと組み合わせた熱アニーリングプロセスを使用し、溶媒アニーリング単独の場合と比較してより迅速な処理を提供し、実質的に全てのＢＣＰに対して処理することのできるブロック共重合体（ＢＣＰ）のタイプを拡張することができる。有機溶媒雰囲気と組み合わせてゾーンアニーリングを使用する実施形態においては、広範囲のブロック共重合体を処理することができ、迅速な速度で垂直方向ナノ構造（例えば、円筒）を形成する。]
    [0068] さらには、本開示の方法は、ポリマーマトリクスにおける垂直方向円筒で構成された自己組織化ジブロック共重合体膜を生成する手段を提供する。本方法は、電子ビームリソグラフィー、ＥＵＶフォトリソグラフィー、もしくは従来のフォトリソグラフィーよりも、より低コストで準備することのできる、ナノメートルスケールの秩序のあるレジスト化された素子を提供する。本発明によって生成され到達可能なフィーチャサイズは、従来のフォトリソグラフィーによっては容易に準備することはできない。記述された方法およびシステムは容易に使用することができ、既存の半導体製造プロセスフローへと組み込み、微細構造を作製するための低コスト、高スループット技術を提供することが可能である。]
    [0069] 本明細書では、具体的実施形態が示され説明されてきたが、同一の目的を達成すると予測されるあらゆる配置が、示された具体的実施形態に対して置換されてもよいことを当業者には理解されたい。本出願は、記述された本発明の原則に従って動作するあらゆる適合もしくは変形を包含するよう意図されるものである。したがって、本発明は、請求項とその均等物によってのみ限定されることを意図される。本出願において参照された特許、参照および刊行物の開示は、本明細書に参照によって組み入れられる。]
    权利要求:

    請求項1
    基板上にナノ構造のポリマー材料を形成する方法であって、前記基板上の材料層内のトレンチ内に円筒相ブロック共重合体材料を形成するステップであって、前記トレンチは、中性湿潤底面、および前記ブロック共重合体の少数ブロックに対して優先的に湿潤である、対立する複数の側壁および複数の終端を有する、ステップと、あらゆるブロックに対して非優先的である溶媒蒸気中で、かつ、前記ブロック共重合体材料のガラス転移温度（Ｔｇ）以上の温度で、前記ブロック共重合体材料をアニーリングするステップと、を含み、前記ブロック共重合体材料は、前記ブロック共重合体の第二のブロックのマトリクス内で、前記ブロック共重合体の前記第一のブロックの複数の円筒状ドメインへと自己組織化し、前記自己組織化ブロック共重合体材料は厚さを有し、前記複数の円筒状ポリマードメインは、前記トレンチ底面に対して垂直に配向され、かつ、前記トレンチの前記長さに対して、単一のアレイにおいて前記自己組織化ブロック共重合体材料の前記厚さを介して伸長する、ことを特徴とする方法。
    請求項2
    前記ブロック共重合体材料を前記アニーリングするステップは、前記有機溶媒の部分的に飽和した濃度内で実施される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
    請求項3
    前記ブロック共重合体材料を前記アニーリングするステップは、前記溶媒の沸点へと前記ブロック共重合体材料を加熱するステップを含み、前記溶媒によって前記ブロック共重合体材料の膨張は生じない、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
    請求項4
    前記ブロック共重合体材料は全体的に加熱される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
    請求項5
    前記ブロック共重合体材料はゾーンアニーリングされる、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
    請求項6
    前記アニーリングするステップは、前記複数の自己組織化円筒状ドメインが、前記ブロック共重合体材料の加熱された一部分内でのみ形成されるように、前記ブロック共重合体材料の前記一部分を加熱するステップを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
    請求項7
    前記ブロック共重合体材料の第二の部分へと熱を加えるステップをさらに含み、前記複数の自己組織化円筒状ドメインは前記ブロック共重合体材料の前記第二の部分内に形成される、ことを特徴とする請求項６に記載の方法。
    請求項8
    前記アニーリングするステップは、前記ブロック共重合体材料の第一の部分を選択的に加熱するステップを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
    請求項9
    前記アニーリングするステップは、前記基板上に熱源を移動させるステップを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
    請求項10
    前記アニーリングするステップは、前記ブロック共重合体材料の第一の部分を加熱するステップと、前記ブロック共重合体材料の第二の部分を加熱するステップと、を含み、前記ブロック共重合体材料は、前記複数のポリマーブロックを相分離させるために、前記ガラス転移温度以上に加熱される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
    請求項11
    前記アニーリングするステップは、前記ブロック共重合体材料の第一の部分を加熱し、その後冷却するステップを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
    請求項12
    前記アニーリングするステップは、前記ブロック共重合体材料を、冷から温への温度勾配へと暴露するステップを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
    請求項13
    前記ブロック共重合体材料を前記アニーリングするステップは、秩序−無秩序温度以上、かつ、前記ガラス転移温度以上へと前記ブロック共重合体材料を加熱するステップと、前記秩序−無秩序温度以下で、前記ガラス転移温度以上へと前記ブロック共重合体材料を冷却するステップと、を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
    請求項14
    基板上にナノ構造のポリマー材料を形成する方法であって、前記ブロック共重合体材料のガラス転移温度（Ｔｇ）以上の温度で加熱するステップの間に、円筒相ブロック共重合体材料を、あらゆるブロックに対して非優先的である溶媒蒸気に対して暴露するステップであって、前記ブロック共重合体材料は、前記基板上の材料層内のトレンチ内に配置され、前記トレンチは、幅、長さ、中性湿潤底面、および前記ブロック共重合体の少数ブロックに対して優先的に湿潤である対立する複数の側壁と複数の終端とを有する、ステップを含み、前記ブロック共重合体材料は、ミクロ相分離し、前記トレンチ内の第二のポリマーブロックのマトリクスにおいて、第一のポリマーブロックで構成された複数の円筒状ドメインを形成し、前記複数の円筒状ポリマードメインは、前記トレンチ底面に対して垂直に配向され、かつ、前記トレンチの前記長さを伸長する単一のアレイにおける前記複数の側壁に対してレジスト化される、ことを特徴とする方法。
    請求項15
    前記中性湿潤底面はランダム共重合体材料を含む、ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
    請求項16
    前記中性湿潤底面は、グラフトされた複数のホモポリマーのブレンドを含む、ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
    請求項17
    前記中性湿潤底面は、水素終端シリコンを含む、ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
    請求項18
    前記トレンチの前記複数の側壁および複数の終端は、酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸炭化物、シリコン酸窒化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、メタクリレートレジスト、およびポリジメチルグルタルイミドレジストから成る群から選択された材料を含む、ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
    請求項19
    前記トレンチにおける前記ブロック共重合体材料は、前記ブロック共重合体のＬ値にほぼ等しいか、それより大きい厚さを有する、ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
    請求項20
    前記第二のポリマーブロックの前記マトリクスを選択的に架橋するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
    請求項21
    前記第二のポリマーブロックの前記マトリクスを介して伸長する複数の円筒状開口を形成するために、前記第一のポリマーブロックを選択的に除去するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
    請求項22
    前記複数の開口を介して、前記基板のマスクされていない複数の部分をエッチングするステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
    請求項23
    基板上にナノ構造のポリマー材料を形成する方法であって、前記基板上の材料層内のトレンチ内に円筒相ブロック共重合体材料上にそれと接触するように、あらゆるブロックに対して非優先的である材料を適用するステップであって、前記トレンチは中性湿潤底面、前記ブロック共重合体の少数ブロックに対して優先的に湿潤である対立する複数の側壁および複数の終端を有する、ステップと、前記非優先的材料と接触している間に、前記ブロック共重合体材料のガラス転移温度（Ｔｇ）以上の温度で前記ブロック共重合体材料をアニーリングするステップと、を含み、前記ブロック共重合体材料は、前記ブロック共重合体の第二のブロックのマトリクス内の前記ブロック共重合体の前記第一のブロックの複数の円筒状ドメインへと自己組織化し、前記自己組織化ブロック共重合体材料は厚さを有し、前記複数の円筒状ポリマードメインは、前記トレンチ底面に対して垂直に配向され、かつ、前記トレンチの前記長さに対して、単一のアレイにおける前記自己組織化ブロック共重合体材料の前記厚さを介して伸長する、ことを特徴とする方法。
    請求項24
    前記非優先的材料を適用するステップは、非優先的表面を有する固体エラストマー材料と前記ブロック共重合体材料を接触させるステップを含む、ことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
    請求項25
    基板をエッチングする方法であって、ブロック共重合体材料のガラス転移温度（Ｔｇ）以上の温度で加熱するステップの間に、あらゆるブロックに対して非優先的である溶媒蒸気内で、前記ブロック共重合体材料をアニーリングするステップであって、材料層におけるトレンチ内の前記ブロック共重合体材料は、前記基板を被覆し、前記トレンチは、幅、長さ、中性湿潤底面、前記ブロック共重合体の少数ブロックに対して優先的に湿潤である、対立する複数の側壁および複数の終端を有し、前記ブロック共重合体材料は、多数ポリマーブロックのマトリクスにおける前記少数ポリマーブロックの垂直方向円筒の単一のアレイを形成し、前記アニーリングされたブロック共重合体材料は厚さを有し、前記複数の円筒は、前記トレンチ底面に対して前記アニーリングされたブロック共重合体の前記厚さを介して伸長する、ステップと、前記多数ポリマーブロックの前記マトリクス内に複数の開口を形成し、前記基板を露出するために、前記少数ポリマーブロックを選択的に除去するステップと、前記複数の開口を介して前記基板をエッチングするステップと、を含む、ことを特徴とする方法。
    請求項26
    前記少数ポリマーブロックを除去するステップの前に、前記多数ポリマーブロックを選択的に架橋するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
    請求項27
    前記基板内の前記複数の開口を充填材料で充填するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
    請求項28
    前記充填材料は、金属、金属合金、および金属／絶縁体／金属積層を含む、ことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
    請求項29
    基板をエッチングする方法であって、ブロック共重合体上にそれと接触するように、あらゆるブロックに対して非優先的である材料で、前記ブロック共重合体材料のガラス転移温度（Ｔｇ）以上の温度で加熱するステップによって前記ブロック共重合体材料をアニーリングするステップであって、材料層におけるトレンチ内の前記ブロック共重合体材料は、前記基板を被覆し、前記トレンチは、幅、長さ、中性湿潤底面、および、前記ブロック共重合体の少数ブロックに対して優先的に湿潤である対立する複数の側壁および複数の終端を有し、前記ブロック共重合体材料は、多数ポリマーブロックのマトリクスにおける前記少数ポリマーブロックの垂直方向円筒の単一のアレイを形成し、前記アニーリングされたブロック共重合体材料は厚さを有し、前記複数の円筒は、前記トレンチ底面に対して前記アニーリングされたブロック共重合体の前記厚さを介して伸長する、ステップと、前記多数ポリマーブロックの前記マトリクス内の複数の開口を形成し、前記基板を露出するために、前記少数ポリマーブロックを選択的に除去するステップと、前記複数の開口を介して前記基板をエッチングするステップと、を含む、ことを特徴とする方法。
    請求項30
    前記非優先的材料は、ポリ（ジメチルシロキサン）およびポリ（ウレタン）から成る群から選択された固体エラストマー材料を含む、ことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
    請求項31
    前記トレンチ内の前記アニーリングされたブロック共重合体材料を露出するために、前記非優先的材料を除去するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
    請求項32
    除去を高めるために、前記非優先的材料に対して溶媒を適用するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項３１に記載の方法。
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    JP5136869B2|2013-02-06|
    KR20100128334A|2010-12-07|
    TW201003741A|2010-01-16|
    WO2009117243A1|2009-09-24|
    US8633112B2|2014-01-21|
    CN101978469A|2011-02-16|
    CN101978469B|2012-11-21|
    US20090236309A1|2009-09-24|
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    KR101121303B1|2012-03-22|
    EP2281299A1|2011-02-09|
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    US9315609B2|2016-04-19|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    JP2005500229A|2001-04-06|2005-01-06|カーネギー−メロンユニバーシティＣａｒｎｅｇｉｅ−ＭｅｌｌｏｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ|Method for producing nanostructured material|
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    US4818713A|1987-10-20|1989-04-04|American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories|Techniques useful in fabricating semiconductor devices having submicron features|
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    US5622668A|1992-02-07|1997-04-22|The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force|Method for preparing oriented polymer structures and said structures|
    EP0588482B1|1992-08-07|1997-11-05|Fujikura Kasei Co., Ltd.|Electro-sensitive composition|
    US5382373A|1992-10-30|1995-01-17|Lord Corporation|Magnetorheological materials based on alloy particles|
    EP0671025B1|1992-11-25|1997-08-13|Hoechst Celanese Corporation|Metal ion reduction in bottom anti-reflective coatings for photoresists|
    US5482656A|1993-03-04|1996-01-09|Kabushiki Kaisha Toshiba|Non-linear optical devices employing a polysilane composition and a polysilane composition therefor|
    TW272976B|1993-08-06|1996-03-21|Ciba Geigy Ag||
    US6776094B1|1993-10-04|2004-08-17|President & Fellows Of Harvard College|Kit For Microcontact Printing|
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    US5538655A|1994-06-29|1996-07-23|Arthur D. Little, Inc.|Molecular complexes for use as electrolyte components|
    US5607824A|1994-07-27|1997-03-04|International Business Machines Corporation|Antireflective coating for microlithography|
    JPH0867893A|1994-08-19|1996-03-12|Lubrizol Corp:The|極性固体および有機半導体の電気流動性流体|
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    US5772905A|1995-11-15|1998-06-30|Regents Of The University Of Minnesota|Nanoimprint lithography|
    US6309580B1|1995-11-15|2001-10-30|Regents Of The University Of Minnesota|Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography|
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    EP1124158A1|1996-02-26|2001-08-16|Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.|Pattern forming material and pattern forming method|
    US6190949B1|1996-05-22|2001-02-20|Sony Corporation|Silicon thin film, group of silicon single crystal grains and formation process thereof, and semiconductor device, flash memory cell and fabrication process thereof|
    JPH1081889A|1996-09-06|1998-03-31|Bridgestone Corp|電気粘性流体用粉体|
    US5904824A|1997-03-07|1999-05-18|Beckman Instruments, Inc.|Microfluidic electrophoresis device|
    US5958704A|1997-03-12|1999-09-28|Ddx, Inc.|Sensing system for specific substance and molecule detection|
    US5948470A|1997-04-28|1999-09-07|Harrison; Christopher|Method of nanoscale patterning and products made thereby|
    US6143647A|1997-07-24|2000-11-07|Intel Corporation|Silicon-rich block copolymers to achieve unbalanced vias|
    US6368871B1|1997-08-13|2002-04-09|Cepheid|Non-planar microstructures for manipulation of fluid samples|
    JP3321392B2|1997-08-29|2002-09-03|ダイセル化学工業株式会社|二重構造連続多孔体とその製造方法|
    US6884842B2|1997-10-14|2005-04-26|Alnis Biosciences, Inc.|Molecular compounds having complementary surfaces to targets|
    AT275600T|1997-12-09|2004-09-15|Sba Materials Inc|Blockcopolymerverarbeitung für mesostrukturierte anorganische oxidmaterialien|
    US6111323A|1997-12-30|2000-08-29|International Business Machines Corporation|Reworkable thermoplastic encapsulant|
    JP3786832B2|1998-01-07|2006-06-14|デビオルシェルシュファルマシュティークソシエテアノニム|分解性のヘテロ二官能性ポリ（エチレングリコール）アクリレート及びそれから誘導されるゲル及び複合体|
    US6153495A|1998-03-09|2000-11-28|Intersil Corporation|Advanced methods for making semiconductor devices by low temperature direct bonding|
    WO1999047570A1|1998-03-18|1999-09-23|University Of Rochester|Macromolecular self-assembly of microstructures, nanostructures, objects and mesoporous solids|
    US7282240B1|1998-04-21|2007-10-16|President And Fellows Of Harvard College|Elastomeric mask and use in fabrication of devices|
    WO1999064489A1|1998-06-05|1999-12-16|Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha|Hydrogenated block copolymer and polypropylene resin composition containing the same|
    US20030080471A1|2001-10-29|2003-05-01|Chou Stephen Y.|Lithographic method for molding pattern with nanoscale features|
    US7799416B1|1998-07-02|2010-09-21|Massachusetts Institute Of Technology|Periodic porous and relief nanostructured articles|
    US6897073B2|1998-07-14|2005-05-24|Zyomyx, Inc.|Non-specific binding resistant protein arrays and methods for making the same|
    US6423410B1|1998-09-04|2002-07-23|Mds Proteomics, Inc.|Ultrasonically generated paramagnetic polymer particles|
    US6713238B1|1998-10-09|2004-03-30|Stephen Y. Chou|Microscale patterning and articles formed thereby|
    EP1141128B1|1998-11-24|2006-04-12|Dow Global Technologies Inc|A composition containing a cross-linkable matrix precursor and a poragen, and a porous matrix prepared therefrom|
    AU778153B2|1998-12-08|2004-11-18|Gene Logic, Inc.|Process for attaching organic molecules to silicon|
    US7291284B2|2000-05-26|2007-11-06|Northwestern University|Fabrication of sub-50 nm solid-state nanostructures based on nanolithography|
    US6413587B1|1999-03-02|2002-07-02|International Business Machines Corporation|Method for forming polymer brush pattern on a substrate surface|
    US6270946B1|1999-03-18|2001-08-07|Luna Innovations, Inc.|Non-lithographic process for producing nanoscale features on a substrate|
    JP4012173B2|1999-06-07|2007-11-21|株式会社東芝|Porous structure manufacturing method, porous structure forming material, pattern forming method, pattern forming material, electrochemical cell, and hollow fiber filter|
    JP3940546B2|1999-06-07|2007-07-04|株式会社東芝|パターン形成方法およびパターン形成材料|
    JP4127682B2|1999-06-07|2008-07-30|株式会社東芝|パターン形成方法|
    CA2372707C|1999-07-02|2014-12-09|President And Fellows Of Harvard College|Nanoscopic wire-based devices, arrays, and method of their manufacture|
    US6251791B1|1999-07-20|2001-06-26|United Microelectronics Corp.|Eliminating etching microloading effect by in situ deposition and etching|
    US6312971B1|1999-08-31|2001-11-06|E Ink Corporation|Solvent annealing process for forming a thin semiconductor film with advantageous properties|
    JP2001110801A|1999-10-05|2001-04-20|Hoya Corp|パターン形成方法、並びに電子素子、光学素子及び回路基板|
    US6998152B2|1999-12-20|2006-02-14|Micron Technology, Inc.|Chemical vapor deposition methods utilizing ionic liquids|
    US6517933B1|2000-01-18|2003-02-11|Nano-Tex, Llc|Hybrid polymer materials|
    US6423465B1|2000-01-28|2002-07-23|International Business Machines Corporation|Process for preparing a patterned continuous polymeric brush on a substrate surface|
    US6573030B1|2000-02-17|2003-06-03|Applied Materials, Inc.|Method for depositing an amorphous carbon layer|
    US6284657B1|2000-02-25|2001-09-04|Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.|Non-metallic barrier formation for copper damascene type interconnects|
    US7163712B2|2000-03-03|2007-01-16|Duke University|Microstamping activated polymer surfaces|
    US6423474B1|2000-03-21|2002-07-23|Micron Technology, Inc.|Use of DARC and BARC in flash memory processing|
    JP2004502554A|2000-03-22|2004-01-29|ユニバーシティー　オブ　マサチューセッツ|ナノシリンダー・アレイ|
    US6887332B1|2000-04-21|2005-05-03|International Business Machines Corporation|Patterning solution deposited thin films with self-assembled monolayers|
    US7491286B2|2000-04-21|2009-02-17|International Business Machines Corporation|Patterning solution deposited thin films with self-assembled monolayers|
    US6890624B1|2000-04-25|2005-05-10|Nanogram Corporation|Self-assembled structures|
    US6503841B1|2000-07-07|2003-01-07|Agere Systems Inc.|Oxide etch|
    US6414164B1|2000-07-12|2002-07-02|International Business Machines Corporation|Synthesis of soluble derivatives of sexithiophene and their use as the semiconducting channels in thin-film filed-effect transistors|
    WO2002018080A1|2000-08-03|2002-03-07|Upepo & Maji Inc.|Metal colloidal solution composition and conductor or ink for forming semiconductor pattern comprising it and method for forming conductor or semiconductor pattern|
    JP3591827B2|2000-08-11|2004-11-24|株式会社東芝|Method for producing compact having fine structure|
    JP2002083949A|2000-09-07|2002-03-22|Nec Corp|Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法|
    US20020084429A1|2000-10-17|2002-07-04|Craighead Harold G.|Electron-beam patterning of functionalized self-assembled monolayers|
    US20040058059A1|2001-11-07|2004-03-25|Linford Mathew Richard|Funtionalized patterned surfaces|
    US6952436B2|2000-11-14|2005-10-04|Regents Of The University Of California|Inorganic/block copolymer-dye composites and dye doped mesoporous materials for optical and sensing applications|
    US6358813B1|2000-11-15|2002-03-19|International Business Machines Corporation|Method for increasing the capacitance of a semiconductor capacitors|
    NL1016779C2|2000-12-02|2002-06-04|Cornelis Johannes Maria V Rijn|Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs.|
    US6432811B1|2000-12-20|2002-08-13|Intel Corporation|Method of forming structural reinforcement of highly porous low k dielectric films by Cu diffusion barrier structures|
    FR2818650B1|2000-12-21|2003-02-07|Atofina|Procede d'hydrogenation de copolymeres a blocs insatures et copolymeres a blocs hydrogenes|
    US6518194B2|2000-12-28|2003-02-11|Thomas Andrew Winningham|Intermediate transfer layers for nanoscale pattern transfer and nanostructure formation|
    WO2002056021A2|2001-01-10|2002-07-18|Didier Benoit|Polymer brushes for immobilizing molecules to a surface|
    US6566248B1|2001-01-11|2003-05-20|Advanced Micro Devices, Inc.|Graphoepitaxial conductor cores in integrated circuit interconnects|
    US6913697B2|2001-02-14|2005-07-05|Science & Technology Corporation @ Unm|Nanostructured separation and analysis devices for biological membranes|
    CA2451882A1|2001-03-14|2002-09-19|University Of Massachusetts|Nanofabrication|
    US6537920B1|2001-03-16|2003-03-25|Advanced Micro Devices, Inc.|Formation of vertical transistors using block copolymer lithography|
    US6817293B2|2001-03-28|2004-11-16|Dainippon Printing Co., Ltd.|Patterning method with micro-contact printing and its printed product|
    EP1399487A4|2001-03-30|2005-08-17|Uab Research Foundation|Polymer formation in room temperature ionic liquids|
    WO2002085639A1|2001-04-25|2002-10-31|The Trustees Of Columbia University In The City Of New York|Edge transfer lithography|
    US20020158432A1|2001-04-30|2002-10-31|Wain Amir Waheed|Infocart|
    US6809210B2|2001-06-12|2004-10-26|Lucent Technologies Inc.|Method of solvating a metal in an aromatic organic liquid|
    KR100448170B1|2001-06-23|2004-09-10|주식회사 태평양|폴리에틸렌이민을 친수성 블록으로 갖고 폴리에스테르계고분자를 소수성 블록으로 갖는 양친성 생분해성 블록공중합체 및 이를 이용한 수용액 상에서의 고분자자기조합 회합체|
    GB2393578B|2001-07-09|2005-10-26|Plastic Logic Ltd|Lamellar polymer architecture|
    US6444318B1|2001-07-17|2002-09-03|Surmodics, Inc.|Self assembling monolayer compositions|
    DE10142691B4|2001-08-31|2006-04-20|Infineon Technologies Ag|Verfahren zum Nachweis biochemischer Reaktionen sowie eine Vorrichtung hierfür|
    US6751491B2|2001-09-01|2004-06-15|M Biotech Inc|Analyte measuring biosensor chip using image scanning system|
    DE10145747A1|2001-09-17|2003-04-03|Solvent Innovation Gmbh|Ionische Flüssigkeiten|
    US6746825B2|2001-10-05|2004-06-08|Wisconsin Alumni Research Foundation|Guided self-assembly of block copolymer films on interferometrically nanopatterned substrates|
    US20030108664A1|2001-10-05|2003-06-12|Kodas Toivo T.|Methods and compositions for the formation of recessed electrical features on a substrate|
    AU2002352903A1|2001-11-21|2003-06-10|University Of Massachusetts|Mesoporous materials and methods|
    JP3967114B2|2001-11-22|2007-08-29|株式会社東芝|加工方法|
    US7087267B2|2001-11-29|2006-08-08|International Business Machines Corporation|Materials and methods for immobilization of catalysts on surfaces and for selective electroless metallization|
    JP3782357B2|2002-01-18|2006-06-07|株式会社東芝|半導体発光素子の製造方法|
    US7115305B2|2002-02-01|2006-10-03|California Institute Of Technology|Method of producing regular arrays of nano-scale objects using nano-structured block-copolymeric materials|
    US6958572B2|2002-02-06|2005-10-25|Ut-Battelle Llc|Controlled non-normal alignment of catalytically grown nanostructures in a large-scale synthesis process|
    EP1483427A1|2002-02-11|2004-12-08|Rensselaer Polytechnic Institute|Directed assembly of highly-organized carbon nanotube architectures|
    US7060774B2|2002-02-28|2006-06-13|Merck Patent Gesellschaft|Prepolymer material, polymer material, imprinting process and their use|
    US6890703B2|2002-03-06|2005-05-10|International Business Machines Corporation|Preparation of crosslinked particles from polymers having activatible crosslinking groups|
    US6946332B2|2002-03-15|2005-09-20|Lucent Technologies Inc.|Forming nanoscale patterned thin film metal layers|
    US7807348B2|2002-03-20|2010-10-05|Wisconsin Alumni Research Foundation|Optical imaging of nanostructured substrates|
    US20030178707A1|2002-03-21|2003-09-25|Abbott Donald C.|Preplated stamped small outline no-lead leadframes having etched profiles|
    US6765030B2|2002-03-22|2004-07-20|The University Of North Carolina At Chapel Hill|Methods of forming polymeric structures using carbon dioxide and polymeric structures formed therapy|
    US7074498B2|2002-03-22|2006-07-11|Borealis Technical Limited|Influence of surface geometry on metal properties|
    JP4859333B2|2002-03-25|2012-01-25|セイコーエプソン株式会社|電子デバイス用基板の製造方法|
    US20040142578A1|2002-03-28|2004-07-22|Ulrich Wiesner|Thin film nanostructures|
    JP2004005923A|2002-03-29|2004-01-08|Fujitsu Ltd|磁気ヘッドの製造方法および磁気ヘッド、パターン形成方法|
    US6872645B2|2002-04-02|2005-03-29|Nanosys, Inc.|Methods of positioning and/or orienting nanostructures|
    US6656308B2|2002-04-22|2003-12-02|International Business Machines Corporation|Process of fabricating a precision microcontact printing stamp|
    US7135241B2|2002-05-24|2006-11-14|Board Of Regents, The University Of Texas System|Light-emitting block copolymers composition, process and use|
    US7307343B2|2002-05-30|2007-12-11|Air Products And Chemicals, Inc.|Low dielectric materials and methods for making same|
    US6753250B1|2002-06-12|2004-06-22|Novellus Systems, Inc.|Method of fabricating low dielectric constant dielectric films|
    US20030235930A1|2002-06-25|2003-12-25|Lucent Technologies Inc.|Multi-impression nanofeature production|
    US6908861B2|2002-07-11|2005-06-21|Molecular Imprints, Inc.|Method for imprint lithography using an electric field|
    US6932934B2|2002-07-11|2005-08-23|Molecular Imprints, Inc.|Formation of discontinuous films during an imprint lithography process|
    US7077992B2|2002-07-11|2006-07-18|Molecular Imprints, Inc.|Step and repeat imprint lithography processes|
    US7311943B2|2002-07-17|2007-12-25|Massachusetts Institute Of Technology|Templated monolayer polymerization and replication|
    US20050008828A1|2002-07-25|2005-01-13|Trustees Of Stevens Institute Of Technology|Patterned polymer microgel and method of forming same|
    US6767693B1|2002-07-30|2004-07-27|Advanced Micro Devices, Inc.|Materials and methods for sub-lithographic patterning of contact, via, and trench structures in integrated circuit devices|
    US6957608B1|2002-08-02|2005-10-25|Kovio, Inc.|Contact print methods|
    EP1387169B1|2002-08-02|2006-05-24|Sony Deutschland GmbH|Method of attaching hydrophilic species to hydrophilic macromolecules and immobilizing the hydrophilic macromolecules on a hydrophobic surface|
    EP1416303B8|2002-10-30|2010-10-13|Hitachi, Ltd.|Method for manufacturing functional substrates comprising columnar micro-pillars|
    US20040084298A1|2002-10-31|2004-05-06|Y.D. Yao|Fabrication of nanocomposite thin films for high density magnetic recording media|
    TW584670B|2002-10-31|2004-04-21|Academia Sinica|Fabrication of nanocomposite thin films for high density magnetic recording media|
    US6949456B2|2002-10-31|2005-09-27|Asm Japan K.K.|Method for manufacturing semiconductor device having porous structure with air-gaps|
    US6911400B2|2002-11-05|2005-06-28|International Business Machines Corporation|Nonlithographic method to produce self-aligned mask, articles produced by same and compositions for same|
    BR0316048B1|2002-11-07|2014-01-28||Copolímero com estrutura controlada e utilização de um copolímero|
    US6699797B1|2002-12-17|2004-03-02|Intel Corporation|Method of fabrication of low dielectric constant porous metal silicate films|
    US6930034B2|2002-12-27|2005-08-16|International Business Machines Corporation|Robust ultra-low k interconnect structures using bridge-then-metallization fabrication sequence|
    US20040124092A1|2002-12-30|2004-07-01|Black Charles T.|Inorganic nanoporous membranes and methods to form same|
    US7078276B1|2003-01-08|2006-07-18|Kovio, Inc.|Nanoparticles and method for making the same|
    US6940485B2|2003-01-15|2005-09-06|Xerox Corporation|Flexible micron-thin display device|
    DE602004027887D1|2003-02-12|2010-08-12|Nantero Inc|Einrichtungen mit vertikal angeordneten nanofabric|
    TWI323479B|2003-02-12|2010-04-11|Nantero Inc|Devices having horizontally-disposed nanofabric articles and methods of making the same|
    US7066801B2|2003-02-21|2006-06-27|Dow Global Technologies, Inc.|Method of manufacturing a fixed abrasive material|
    US7001795B2|2003-02-27|2006-02-21|Micron Technology, Inc.|Total internal reflection CMOS imager|
    TW582059B|2003-03-11|2004-04-01|Ind Tech Res Inst|Organic component, method for forming organic semiconductor layer with aligned molecules, and method for forming organic component|
    US7326514B2|2003-03-12|2008-02-05|Cornell Research Foundation, Inc.|Organoelement resists for EUV lithography and methods of making the same|
    US7135523B2|2003-03-14|2006-11-14|Industrial Technology Research Institute|Nanoscale helical microstructures and channels from chiral poly block containing block copolymers|
    US6812132B2|2003-03-21|2004-11-02|Intel Corporation|Filling small dimension vias using supercritical carbon dioxide|
    KR100618184B1|2003-03-31|2006-08-31|비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사|결정화 방법|
    US7112617B2|2003-04-22|2006-09-26|International Business Machines Corporation|Patterned substrate with hydrophilic/hydrophobic contrast, and method of use|
    JP2004335962A|2003-05-12|2004-11-25|Seiko Epson Corp|薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器|
    EP1479738A1|2003-05-20|2004-11-24|DSM IP Assets B.V.|Hydrophobic coatings comprising reactive nano-particles|
    US20060124467A1|2003-05-20|2006-06-15|Industrial Technology Research Institute|Metal nanodot arrays and fabrication methods thereof|
    TWI256110B|2004-05-18|2006-06-01|Ind Tech Res Inst|Nanopatterned templates from oriented degradable diblock copolymer thin films|
    US7632544B2|2003-05-20|2009-12-15|Industrial Technology Research Institute|Nanopatterned templates from oriented degradable diblock copolymer thin films|
    US6989426B2|2003-06-12|2006-01-24|The Hong Kong Polytechnic University|Methods for producing di-block polymers|
    US7009227B2|2003-06-16|2006-03-07|Micron Technology, Inc.|Photodiode structure and image pixel structure|
    US7045851B2|2003-06-20|2006-05-16|International Business Machines Corporation|Nonvolatile memory device using semiconductor nanocrystals and method of forming same|
    GB2403847B|2003-07-01|2005-11-16|Micron Technology Inc|Optical channels for multi-level metal optical imagers and method for manufacturing same|
    US20050238889A1|2003-07-10|2005-10-27|Nancy Iwamoto|Layered components, materials, methods of production and uses thereof|
    US7132370B2|2003-08-01|2006-11-07|Interuniversitair Microelektronica Centrum |Method for selective removal of high-k material|
    GB0318817D0|2003-08-11|2003-09-10|Univ Cambridge Tech|Method of making a polymer device|
    US7361991B2|2003-09-19|2008-04-22|International Business Machines Corporation|Closed air gap interconnect structure|
    WO2005080983A2|2003-09-23|2005-09-01|Wisconsin Alumni Research Foundation|Using liquid crystals to detect affinity microcontact printed biomolecules|
    US7374867B2|2003-10-06|2008-05-20|Intel Corporation|Enhancing photoresist performance using electric fields|
    US7407887B2|2003-10-16|2008-08-05|The Regents Of The University Of California|Nanostructures, nanogrooves, and nanowires|
    US7862849B2|2003-10-17|2011-01-04|Massachusetts Institute Of Technology|Nanocontact printing|
    US7122482B2|2003-10-27|2006-10-17|Molecular Imprints, Inc.|Methods for fabricating patterned features utilizing imprint lithography|
    GB0325748D0|2003-11-05|2003-12-10|Koninkl Philips Electronics Nv|A method of forming a patterned layer on a substrate|
    US7056757B2|2003-11-25|2006-06-06|Georgia Tech Research Corporation|Methods of forming oxide masks with submicron openings and microstructures formed thereby|
    US20050133697A1|2003-12-23|2005-06-23|Potyrailo Radislav A.|Sensor devices containing co-polymer substrates for analysis of chemical and biological species in water and air|
    US7423164B2|2003-12-31|2008-09-09|Ut-Battelle, Llc|Synthesis of ionic liquids|
    US6989324B2|2004-01-15|2006-01-24|The Regents Of The University Of California|Fabrication method for arranging ultra-fine particles|
    US7056849B2|2004-01-16|2006-06-06|General Electric Company|Nanoscale ordered composites of covalent ceramics for high-temperature structural applications via block-copolymer-assisted assembly and method of making|
    US7405147B2|2004-01-30|2008-07-29|International Business Machines Corporation|Device and methodology for reducing effective dielectric constant in semiconductor devices|
    DE102004006545B3|2004-02-10|2005-08-11|Infineon Technologies Ag|Verfahren zum Aufweiten eines Grabens in einer Halbleiterstruktur|
    US20060014083A1|2004-03-01|2006-01-19|University Of Washington|Methods and systems for fabricating electronic and/or microfluidic structures on elastomeric substrates|
    US7030495B2|2004-03-19|2006-04-18|International Business Machines Corporation|Method for fabricating a self-aligned nanocolumnar airbridge and structure produced thereby|
    CN100429142C|2004-03-24|2008-10-29|哈尔滨工业大学|面向纳米微加工嵌段共聚物模板自组装形态调控方法|
    US7015113B2|2004-04-01|2006-03-21|Micron Technology, Inc.|Methods of forming trench isolation regions|
    US20060013956A1|2004-04-20|2006-01-19|Angelescu Dan E|Method and apparatus for providing shear-induced alignment of nanostructure in thin films|
    WO2005104756A2|2004-04-27|2005-11-10|The Board Of Trustees Of The University Of Illinois|Composite patterning devices for soft lithography|
    US7244665B2|2004-04-29|2007-07-17|Micron Technology, Inc.|Wafer edge ring structures and methods of formation|
    US7625694B2|2004-05-06|2009-12-01|Micron Technology, Inc.|Selective provision of a diblock copolymer material|
    WO2006076016A2|2004-05-21|2006-07-20|Krzysztof Matyjaszewski|Conducting polymers|
    EP2650905A3|2004-06-04|2014-10-01|The Board of Trustees of the University of Illionis|Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements|
    US20070227383A1|2004-06-30|2007-10-04|Koninklijke Philips Electronics, N.V.|Soft Lithographic Stamp with a Chemically Patterned Surface|
    WO2006003594A2|2004-06-30|2006-01-12|Koninklijke Philips Electronics N.V.|Soft lithographic stamp with a chemically patterned surface|
    US7387939B2|2004-07-19|2008-06-17|Micron Technology, Inc.|Methods of forming semiconductor structures and capacitor devices|
    JP4389055B2|2004-07-27|2009-12-24|独立行政法人産業技術総合研究所|ブロック共重合体−クレイナノコンポジットの高配向膜およびその製造方法|
    US8088293B2|2004-07-29|2012-01-03|Micron Technology, Inc.|Methods of forming reticles configured for imprint lithography|
    US20060030495A1|2004-08-06|2006-02-09|Gregg George L Jr|Bullet lubrication formula|
    JP2006055982A|2004-08-23|2006-03-02|Ind Technol Res Inst|組織化分解ジブロックコポリマー薄膜からのナノパターン化テンプレート|
    KR20060020830A|2004-09-01|2006-03-07|삼성코닝 주식회사|계면활성제를 템플릿으로 이용한 저유전성 메조포러스박막의 제조방법|
    US7115525B2|2004-09-02|2006-10-03|Micron Technology, Inc.|Method for integrated circuit fabrication using pitch multiplication|
    US20060057051A1|2004-09-10|2006-03-16|Sheng Dai|Highly ordered porous carbon materials having well defined nanostructures and method of synthesis|
    US20060060863A1|2004-09-22|2006-03-23|Jennifer Lu|System and method for controlling nanostructure growth|
    JP3926360B2|2004-10-13|2007-06-06|株式会社東芝|パターン形成方法およびそれを用いた構造体の加工方法|
    US7196314B2|2004-11-09|2007-03-27|Omnivision Technologies, Inc.|Image sensor and pixel having an anti-reflective coating over the photodiode|
    EP1657070B1|2004-11-10|2008-04-23|Sony Deutschland GmbH|A stamp for soft lithography, in particular micro contact printing and a method of preparing the same|
    US7323387B2|2004-11-12|2008-01-29|Seagate Technology Llc|Method to make nano structure below 25 nanometer with high uniformity on large scale|
    EP1827717A4|2004-11-22|2011-11-23|Wisconsin Alumni Res Found|Methods and compositions for forming aperiodic patterned copolymer films|
    US20080032238A1|2004-11-23|2008-02-07|Lu Jennifer Q|System and method for controlling the size and/or distribution of catalyst nanoparticles for nanostructure growth|
    US20060128165A1|2004-12-13|2006-06-15|3M Innovative Properties Company|Method for patterning surface modification|
    US7666465B2|2004-12-29|2010-02-23|Intel Corporation|Introducing nanotubes in trenches and structures formed thereby|
    US8178165B2|2005-01-21|2012-05-15|The Regents Of The University Of California|Method for fabricating a long-range ordered periodic array of nano-features, and articles comprising same|
    DE102005005325B4|2005-02-04|2011-12-15|Adesto Technology Corp., Inc.|Method for producing a resistively switching non-volatile memory cell|
    US7341788B2|2005-03-11|2008-03-11|International Business Machines Corporation|Materials having predefined morphologies and methods of formation thereof|
    US7514764B2|2005-03-23|2009-04-07|Wisconsin Alumni Research Foundation|Materials and methods for creating imaging layers|
    US7855046B2|2005-04-07|2010-12-21|The University Of North Carolina At Charlotte|Method and apparatus for fabricating shaped structures and shaped structures including one- , two- or three-dimensional patterns incorporated therein|
    KR100634327B1|2005-04-13|2006-10-13|한국기계연구원|롤-투-롤 윤전인쇄방식을 이용한 전자소자의 제조방법 및그 제조장치|
    US20060257633A1|2005-04-27|2006-11-16|Hitachi Maxell, Ltd.|Method for modifying surface of polymer substrate, method for forming plated film on polymer substrate, method for producing polymer member, and coating member|
    US20060249784A1|2005-05-06|2006-11-09|International Business Machines Corporation|Field effect transistor device including an array of channel elements and methods for forming|
    US7767129B2|2005-05-11|2010-08-03|Micron Technology, Inc.|Imprint templates for imprint lithography, and methods of patterning a plurality of substrates|
    US7371684B2|2005-05-16|2008-05-13|International Business Machines Corporation|Process for preparing electronics structures using a sacrificial multilayer hardmask scheme|
    US8399057B2|2005-06-08|2013-03-19|The Regents Of The University Of California|Ordered vertically oriented porous inorganic films produced through solution processing|
    US7396781B2|2005-06-09|2008-07-08|Micron Technology, Inc.|Method and apparatus for adjusting feature size and position|
    KR100668846B1|2005-06-10|2007-01-16|주식회사 하이닉스반도체|상변환 기억 소자의 제조방법|
    US7771917B2|2005-06-17|2010-08-10|Micron Technology, Inc.|Methods of making templates for use in imprint lithography|
    EP1904932A4|2005-06-17|2013-02-27|Univ North Carolina|Nanoparticle fabrication methods, systems, and materials|
    US7118784B1|2005-06-27|2006-10-10|The Regents Of The University Of California|Method and apparatus for controlling nucleation in self-assembled films|
    US7507618B2|2005-06-27|2009-03-24|3M Innovative Properties Company|Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles|
    US7776715B2|2005-07-26|2010-08-17|Micron Technology, Inc.|Reverse construction memory cell|
    US7306083B2|2005-07-27|2007-12-11|Gm Global Technology Operations, Inc.|Magnetorheological fluid device|
    EP1909774A2|2005-08-04|2008-04-16|Angiotech International Ag|Block copolymer compositions and uses thereof|
    US20070045642A1|2005-08-25|2007-03-01|Micron Technology, Inc.|Solid-state imager and formation method using anti-reflective film for optical crosstalk reduction|
    US7456928B2|2005-08-29|2008-11-25|Micron Technology, Inc.|Systems and methods for controlling ambient pressure during processing of microfeature workpieces, including during immersion lithography|
    EP1760527B1|2005-09-05|2012-06-06|DWI an der RWTH Aachen e.V.|Photochemical method for manufacturing nanometrically surface-decorated substrates|
    JP4598639B2|2005-09-27|2010-12-15|Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社|半導体装置の製造方法|
    US8618221B2|2005-10-14|2013-12-31|Wisconsin Alumni Research Foundation|Directed assembly of triblock copolymers|
    US20070183035A1|2005-10-31|2007-08-09|Koji Asakawa|Short-wavelength polarizing elements and the manufacture and use thereof|
    WO2007055041A1|2005-11-10|2007-05-18|National University Corporation Kyoto Institute Of Technology|配向したシリンダー構造を有するブロック共重合体膜およびその製造方法|
    US20070122749A1|2005-11-30|2007-05-31|Fu Peng F|Method of nanopatterning, a resist film for use therein, and an article including the resist film|
    EP1811524B1|2006-01-18|2008-04-16|Consiglio Nazionale Delle Ricerche|Nanometric device for the measurement of the conductivity and quantum effects of individual molecules and methods for the manufacture and use thereof|
    CN101370853B|2006-01-20|2011-11-16|普雷克托尼克斯公司|静电涂层和包含聚噻吩的制品|
    JP2007194175A|2006-01-23|2007-08-02|Seiko Epson Corp|導体パターン用インク、導体パターン、配線基板及び電気光学装置並びに電子機器|
    US7568603B2|2006-01-31|2009-08-04|Ethicon Endo-Surgery, Inc.|Motor-driven surgical cutting and fastening instrument with articulatable end effector|
    US20080073743A1|2006-02-17|2008-03-27|Lockheed Martin Corporation|Templated growth of semiconductor nanostructures, related devices and methods|
    US20070194403A1|2006-02-23|2007-08-23|International Business Machines Corporation|Methods for fabricating semiconductor device structures with reduced susceptibility to latch-up and semiconductor device structures formed by the methods|
    US20070208159A1|2006-03-02|2007-09-06|General Electric Company|Poly block copolymer compositions, methods, and articles|
    US7579278B2|2006-03-23|2009-08-25|Micron Technology, Inc.|Topography directed patterning|
    US20070222995A1|2006-03-27|2007-09-27|Jennifer Lu|Artifact having a textured metal surface with nanometer-scale features and method for fabricating same|
    KR100753542B1|2006-04-19|2007-08-30|삼성전자주식회사|수지 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 커패시터형성 방법|
    US8080822B2|2006-05-22|2011-12-20|Nanyang Technological University|Solution-processed inorganic films for organic thin film transistors|
    US7723009B2|2006-06-02|2010-05-25|Micron Technology, Inc.|Topography based patterning|
    US20070289943A1|2006-06-14|2007-12-20|Jennifer Lu|Block copolymer mask for defining nanometer-scale structures|
    US7605081B2|2006-06-19|2009-10-20|International Business Machines Corporation|Sub-lithographic feature patterning using self-aligned self-assembly polymers|
    JP4673266B2|2006-08-03|2011-04-20|日本電信電話株式会社|パターン形成方法及びモールド|
    US20080038467A1|2006-08-11|2008-02-14|Eastman Kodak Company|Nanostructured pattern method of manufacture|
    JP4421582B2|2006-08-15|2010-02-24|株式会社東芝|パターン形成方法|
    US20080047930A1|2006-08-23|2008-02-28|Graciela Beatriz Blanchet|Method to form a pattern of functional material on a substrate|
    KR100739000B1|2006-09-11|2007-07-12|삼성전자주식회사|상변화 기억 소자의 형성 방법|
    KR100771886B1|2006-09-27|2007-11-01|삼성전자주식회사|블럭 공중합체를 사용한 미세 콘택홀 형성 방법 및 반도체소자 제조 방법|
    US7658773B2|2006-09-29|2010-02-09|Qimonda Ag|Method for fabricating a solid electrolyte memory device and solid electrolyte memory device|
    US7795607B2|2006-09-29|2010-09-14|Intel Corporation|Current focusing memory architecture for use in electrical probe-based memory storage|
    TWI311337B|2006-10-02|2009-06-21|Au Optronics Corporatio|Multi-domain vertical alignment pixel structure and fabrication method thereof|
    US7592247B2|2006-10-04|2009-09-22|International Business Machines Corporation|Sub-lithographic local interconnects, and methods for forming same|
    US7553760B2|2006-10-19|2009-06-30|International Business Machines Corporation|Sub-lithographic nano interconnect structures, and method for forming same|
    US8343578B2|2006-10-30|2013-01-01|International Business Machines Corporation|Self-assembled lamellar microdomains and method of alignment|
    US7560222B2|2006-10-31|2009-07-14|International Business Machines Corporation|Si-containing polymers for nano-pattern device fabrication|
    US7514339B2|2007-01-09|2009-04-07|International Business Machines Corporation|Method for fabricating shallow trench isolation structures using diblock copolymer patterning|
    KR20080069000A|2007-01-22|2008-07-25|삼성전자주식회사|액정 표시 장치|
    US8394483B2|2007-01-24|2013-03-12|Micron Technology, Inc.|Two-dimensional arrays of holes with sub-lithographic diameters formed by block copolymer self-assembly|
    US7767099B2|2007-01-26|2010-08-03|International Business Machines Corporaiton|Sub-lithographic interconnect patterning using self-assembling polymers|
    WO2008096335A2|2007-02-07|2008-08-14|Yeda Research And Development Co. Ltd.|Producing an array of nanoscale structures on a substrate surface via a self-assembled template|
    US7964107B2|2007-02-08|2011-06-21|Micron Technology, Inc.|Methods using block copolymer self-assembly for sub-lithographic patterning|
    US7999020B2|2007-02-08|2011-08-16|Regents Of The University Of Minnesota|Ion gels and electronic devices utilizing ion gels|
    US8431149B2|2007-03-01|2013-04-30|Boston Scientific Scimed, Inc.|Coated medical devices for abluminal drug delivery|
    US8083953B2|2007-03-06|2011-12-27|Micron Technology, Inc.|Registered structure formation via the application of directed thermal energy to diblock copolymer films|
    US8557128B2|2007-03-22|2013-10-15|Micron Technology, Inc.|Sub-10 nm line features via rapid graphoepitaxial self-assembly of amphiphilic monolayers|
    US20080233297A1|2007-03-23|2008-09-25|Xerox Corporation|Methods of forming a photoreceptor device having a self-assembled patterned binder layer|
    US7999160B2|2007-03-23|2011-08-16|International Business Machines Corporation|Orienting, positioning, and forming nanoscale structures|
    US7888228B2|2007-04-05|2011-02-15|Adesto Technology Corporation|Method of manufacturing an integrated circuit, an integrated circuit, and a memory module|
    US7959975B2|2007-04-18|2011-06-14|Micron Technology, Inc.|Methods of patterning a substrate|
    US8372295B2|2007-04-20|2013-02-12|Micron Technology, Inc.|Extensions of self-assembled structures to increased dimensions via a “bootstrap” self-templating method|
    DE102007024653A1|2007-05-26|2008-12-04|Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh|Stempel für das Mikrokontaktdrucken und Verfahren zu seiner Herstellung|
    US8404124B2|2007-06-12|2013-03-26|Micron Technology, Inc.|Alternating self-assembling morphologies of diblock copolymers controlled by variations in surfaces|
    US8080615B2|2007-06-19|2011-12-20|Micron Technology, Inc.|Crosslinkable graft polymer non-preferentially wetted by polystyrene and polyethylene oxide|
    US8294139B2|2007-06-21|2012-10-23|Micron Technology, Inc.|Multilayer antireflection coatings, structures and devices including the same and methods of making the same|
    KR101291223B1|2007-08-09|2013-07-31|한국과학기술원|블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법|
    US7732533B2|2007-08-31|2010-06-08|Micron Technology, Inc.|Zwitterionic block copolymers and methods|
    US8083958B2|2007-12-05|2011-12-27|International Business Machines Corporation|Patterning method using a combination of photolithography and copolymer self-assemblying lithography techniques|
    US9183870B2|2007-12-07|2015-11-10|Wisconsin Alumni Research Foundation|Density multiplication and improved lithography by directed block copolymer assembly|
    KR20090076408A|2008-01-08|2009-07-13|삼성에스디아이 주식회사|이종상 백금 촉매 및 이를 이용한 태양전지|
    US7989026B2|2008-01-12|2011-08-02|International Business Machines Corporation|Method of use of epoxy-containing cycloaliphatic acrylic polymers as orientation control layers for block copolymer thin films|
    US8999492B2|2008-02-05|2015-04-07|Micron Technology, Inc.|Method to produce nanometer-sized features with directed assembly of block copolymers|
    US8101261B2|2008-02-13|2012-01-24|Micron Technology, Inc.|One-dimensional arrays of block copolymer cylinders and applications thereof|
    US7696085B2|2008-02-20|2010-04-13|International Business Machines Corporation|Dual damascene metal interconnect structure having a self-aligned via|
    US7906031B2|2008-02-22|2011-03-15|International Business Machines Corporation|Aligning polymer films|
    US8168468B2|2008-02-29|2012-05-01|Freescale Semiconductor, Inc.|Method of making a semiconductor device including a bridgeable material|
    US8425982B2|2008-03-21|2013-04-23|Micron Technology, Inc.|Methods of improving long range order in self-assembly of block copolymer films with ionic liquids|
    US8426313B2|2008-03-21|2013-04-23|Micron Technology, Inc.|Thermal anneal of block copolymer films with top interface constrained to wet both blocks with equal preference|
    US8114300B2|2008-04-21|2012-02-14|Micron Technology, Inc.|Multi-layer method for formation of registered arrays of cylindrical pores in polymer films|
    US8114301B2|2008-05-02|2012-02-14|Micron Technology, Inc.|Graphoepitaxial self-assembly of arrays of downward facing half-cylinders|
    US8114468B2|2008-06-18|2012-02-14|Boise Technology, Inc.|Methods of forming a non-volatile resistive oxide memory array|
    US8211737B2|2008-09-19|2012-07-03|The University Of Massachusetts|Method of producing nanopatterned articles, and articles produced thereby|
    US8088551B2|2008-10-09|2012-01-03|Micron Technology, Inc.|Methods of utilizing block copolymer to form patterns|
    US8097175B2|2008-10-28|2012-01-17|Micron Technology, Inc.|Method for selectively permeating a self-assembled block copolymer, method for forming metal oxide structures, method for forming a metal oxide pattern, and method for patterning a semiconductor structure|
    US8173034B2|2008-11-17|2012-05-08|Micron Technology, Inc.|Methods of utilizing block copolymer to form patterns|
    US8314206B2|2008-12-02|2012-11-20|Micron Technology, Inc.|Block copolymer-comprising compositions and methods of purifying PS-b-PXVP|
    JP5281386B2|2008-12-22|2013-09-04|株式会社日立製作所|高分子薄膜及びパターン媒体並びにこれらの製造方法|
    US8114306B2|2009-05-22|2012-02-14|International Business Machines Corporation|Method of forming sub-lithographic features using directed self-assembly of polymers|
    US8834956B2|2009-06-22|2014-09-16|Micron Technology, Inc.|Methods of utilizing block copolymer to form patterns|
    US8206601B2|2009-12-18|2012-06-26|Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V.|Supporting membranes on nanometer-scale self-assembled films|
    WO2011102140A1|2010-02-19|2011-08-25|東京エレクトロン株式会社|半導体装置の製造方法|
    WO2011163393A2|2010-06-25|2011-12-29|Nanovis, Inc.|Method for producing nanosurfaces with nano, micron, and/or submicron structures on a polymer|
    KR20140007797A|2010-10-07|2014-01-20|도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤|가이드 패턴 형성용 네거티브형 현상용 레지스트 조성물, 가이드 패턴 형성 방법, 블록 코폴리머를 포함하는 층의 패턴 형성 방법|
    US8734904B2|2010-11-30|2014-05-27|International Business Machines Corporation|Methods of forming topographical features using segregating polymer mixtures|
    US20120135159A1|2010-11-30|2012-05-31|Seagate Technology Llc|System and method for imprint-guided block copolymer nano-patterning|
    US20120164389A1|2010-12-28|2012-06-28|Yang Xiaomin|Imprint template fabrication and repair based on directed block copolymer assembly|
    US9299381B2|2011-02-07|2016-03-29|Wisconsin Alumni Research Foundation|Solvent annealing block copolymers on patterned substrates|
    US8900963B2|2011-11-02|2014-12-02|Micron Technology, Inc.|Methods of forming semiconductor device structures, and related structures|
    EP2594995A1|2011-11-16|2013-05-22|University College Cork|A method for providing a nanopattern of metal oxide nanostructures on a substrate|
    US8835581B2|2012-06-08|2014-09-16|Az Electronic Materials S.A.R.L.|Neutral layer polymer composition for directed self assembly and processes thereof|
    US9087699B2|2012-10-05|2015-07-21|Micron Technology, Inc.|Methods of forming an array of openings in a substrate, and related methods of forming a semiconductor device structure|
    JP5758422B2|2013-02-19|2015-08-05|株式会社東芝|パターン形成方法|
    US8980538B2|2013-03-14|2015-03-17|Tokyo Electron Limited|Chemi-epitaxy in directed self-assembly applications using photo-decomposable agents|
    US9229328B2|2013-05-02|2016-01-05|Micron Technology, Inc.|Methods of forming semiconductor device structures, and related semiconductor device structures|
    US9177795B2|2013-09-27|2015-11-03|Micron Technology, Inc.|Methods of forming nanostructures including metal oxides|US8394483B2|2007-01-24|2013-03-12|Micron Technology, Inc.|Two-dimensional arrays of holes with sub-lithographic diameters formed by block copolymer self-assembly|
    US8083953B2|2007-03-06|2011-12-27|Micron Technology, Inc.|Registered structure formation via the application of directed thermal energy to diblock copolymer films|
    US8557128B2|2007-03-22|2013-10-15|Micron Technology, Inc.|Sub-10 nm line features via rapid graphoepitaxial self-assembly of amphiphilic monolayers|
    US7959975B2|2007-04-18|2011-06-14|Micron Technology, Inc.|Methods of patterning a substrate|
    US8372295B2|2007-04-20|2013-02-12|Micron Technology, Inc.|Extensions of self-assembled structures to increased dimensions via a “bootstrap” self-templating method|
    US8404124B2|2007-06-12|2013-03-26|Micron Technology, Inc.|Alternating self-assembling morphologies of diblock copolymers controlled by variations in surfaces|
    US8080615B2|2007-06-19|2011-12-20|Micron Technology, Inc.|Crosslinkable graft polymer non-preferentially wetted by polystyrene and polyethylene oxide|
    US8294139B2|2007-06-21|2012-10-23|Micron Technology, Inc.|Multilayer antireflection coatings, structures and devices including the same and methods of making the same|
    KR101355167B1|2007-12-14|2014-01-28|삼성전자주식회사|적어도 세 개의 고분자 블록을 구비하는 블록 공중합체를이용한 미세 패턴 형성 방법|
    US8999492B2|2008-02-05|2015-04-07|Micron Technology, Inc.|Method to produce nanometer-sized features with directed assembly of block copolymers|
    US8101261B2|2008-02-13|2012-01-24|Micron Technology, Inc.|One-dimensional arrays of block copolymer cylinders and applications thereof|
    US8426313B2|2008-03-21|2013-04-23|Micron Technology, Inc.|Thermal anneal of block copolymer films with top interface constrained to wet both blocks with equal preference|
    US8425982B2|2008-03-21|2013-04-23|Micron Technology, Inc.|Methods of improving long range order in self-assembly of block copolymer films with ionic liquids|
    US8114300B2|2008-04-21|2012-02-14|Micron Technology, Inc.|Multi-layer method for formation of registered arrays of cylindrical pores in polymer films|
    US8114301B2|2008-05-02|2012-02-14|Micron Technology, Inc.|Graphoepitaxial self-assembly of arrays of downward facing half-cylinders|
    US8097175B2|2008-10-28|2012-01-17|Micron Technology, Inc.|Method for selectively permeating a self-assembled block copolymer, method for forming metal oxide structures, method for forming a metal oxide pattern, and method for patterning a semiconductor structure|
    IT1392754B1|2008-12-18|2012-03-16|St Microelectronics Srl|Nanoarray ad incrocio con strato organico attivo anisotropico|
    KR101101767B1|2009-05-07|2012-01-05|한국과학기술원|코일―빗형 블록 공중합체 및 이를 이용한 나노 구조체의 제조방법|
    US8574950B2|2009-10-30|2013-11-05|International Business Machines Corporation|Electrically contactable grids manufacture|
    WO2011094857A1|2010-02-05|2011-08-11|The Governors Of The University Of Alberta|Method for organizing a block copolymer|
    NL2005956A|2010-02-26|2011-08-29|Asml Netherlands Bv|Method and apparatus for treatment of self-assemblable polymer layers for use in lithography.|
    US8696918B2|2010-05-05|2014-04-15|Micron Technology, Inc.|Methods of utilizing block copolymer to form patterns|
    KR101826774B1|2010-06-04|2018-02-07|에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.|리소그래피에서 사용하기 위한 자가-조립가능한 중합체 및 방법|
    US10753023B2|2010-08-13|2020-08-25|Kimberly-Clark Worldwide, Inc.|Toughened polylactic acid fibers|
    US8936740B2|2010-08-13|2015-01-20|Kimberly-Clark Worldwide, Inc.|Modified polylactic acid fibers|
    US8304493B2|2010-08-20|2012-11-06|Micron Technology, Inc.|Methods of forming block copolymers|
    TWI556958B|2010-09-14|2016-11-11|東京應化工業股份有限公司|基質劑及含嵌段共聚物之層的圖型形成方法|
    JP5729537B2|2010-09-14|2015-06-03|東京応化工業株式会社|下地剤|
    JP5721164B2|2010-09-14|2015-05-20|東京応化工業株式会社|ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法|
    US8900963B2|2011-11-02|2014-12-02|Micron Technology, Inc.|Methods of forming semiconductor device structures, and related structures|
    US8961918B2|2012-02-10|2015-02-24|Rohm And Haas Electronic Materials Llc|Thermal annealing process|
    JP6306810B2|2012-03-14|2018-04-04|東京応化工業株式会社|下地剤、ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法|
    US9005877B2|2012-05-15|2015-04-14|Tokyo Electron Limited|Method of forming patterns using block copolymers and articles thereof|
    KR101412228B1|2012-06-11|2014-07-02|한국과학기술원|혼합 블록공중합체 박막 제조방법, 혼합 블록공중합체 주형 제조방법 및 이에 의하여 제조된 혼합 블록공중합체 박막 및 주형|
    CN104620352B|2012-07-10|2017-05-10|株式会社尼康|标记形成方法和器件制造方法|
    US8821739B2|2012-07-12|2014-09-02|Rohm And Haas Electronic Materials Llc|High temperature thermal annealing process|
    US8821738B2|2012-07-12|2014-09-02|Rohm And Haas Electronic Materials Llc|Thermal annealing process|
    CN103633029B|2012-08-28|2016-11-23|中国科学院微电子研究所|半导体结构及其制造方法|
    US9087699B2|2012-10-05|2015-07-21|Micron Technology, Inc.|Methods of forming an array of openings in a substrate, and related methods of forming a semiconductor device structure|
    KR101993255B1|2013-01-07|2019-06-26|삼성전자주식회사|콘택 홀 형성 방법|
    FR3001306A1|2013-01-18|2014-07-25|Commissariat Energie Atomique|METHOD FOR MANUFACTURING A CONDUCTOR NETWORK ON A SUBSTRATE USING BLOCK COPOLYMERS|
    US9050621B2|2013-01-24|2015-06-09|Corning Incorporated|Surface nanofabrication methods using self-assembled polymer nanomasks|
    US9566609B2|2013-01-24|2017-02-14|Corning Incorporated|Surface nanoreplication using polymer nanomasks|
    US8859433B2|2013-03-11|2014-10-14|International Business Machines Corporation|DSA grapho-epitaxy process with etch stop material|
    US9115255B2|2013-03-14|2015-08-25|Wisconsin Alumni Research Foundation|Crosslinked random copolymer films for block copolymer domain orientation|
    US20140273534A1|2013-03-14|2014-09-18|Tokyo Electron Limited|Integration of absorption based heating bake methods into a photolithography track system|
    US8980538B2|2013-03-14|2015-03-17|Tokyo Electron Limited|Chemi-epitaxy in directed self-assembly applications using photo-decomposable agents|
    US8975009B2|2013-03-14|2015-03-10|Tokyo Electron Limited|Track processing to remove organic films in directed self-assembly chemo-epitaxy applications|
    US9136110B2|2013-03-15|2015-09-15|Tokyo Electron Limited|Multi-step bake apparatus and method for directed self-assembly lithography control|
    US20140291878A1|2013-03-29|2014-10-02|Tokyo Electron Limited|Methods for controlling across-wafer directed self-assembly|
    US9229328B2|2013-05-02|2016-01-05|Micron Technology, Inc.|Methods of forming semiconductor device structures, and related semiconductor device structures|
    ITRM20130278A1|2013-05-10|2014-11-11|Consiglio Nazionale Ricerche|Procedimento di fabbricazione di film autoassemblati di copolimeri a blocchi|
    FR3008986B1|2013-07-25|2016-12-30|Arkema France|Procede de controle de la periode caracterisant la morphologie obtenue a partir d'un melange de copolymere a blocs et depolymeres de l'un des blocs|
    US20150179434A1|2013-07-25|2015-06-25|SK Hynix Inc.|Nano-scale structures|
    WO2015032588A1|2013-09-06|2015-03-12|Asml Netherlands B.V.|Methodology to generate guiding templates for directed self-assembly|
    US9177795B2|2013-09-27|2015-11-03|Micron Technology, Inc.|Methods of forming nanostructures including metal oxides|
    US9625815B2|2013-09-27|2017-04-18|Intel Corporation|Exposure activated chemically amplified directed self-assemblyfor back end of linepattern cutting and plugging|
    KR102066301B1|2013-11-25|2020-01-14|도쿄엘렉트론가부시키가이샤|패턴 형성 방법 및 가열 장치|
    KR102100767B1|2013-11-26|2020-04-21|엘지디스플레이 주식회사|유기발광 표시장치 및 그 제조방법|
    US8999862B1|2013-12-02|2015-04-07|SK Hynix Inc.|Methods of fabricating nano-scale structures and nano-scale structures fabricated thereby|
    FR3014887B1|2013-12-13|2017-05-26|Arkema France|Procede permettant la creation de structures nanometriques par l'auto-assemblage de copolymeres a blocs|
    FR3017395B1|2014-02-11|2017-11-03|Arkema France|Procede de controle de l'energie de surface d'un substrat|
    US9598543B2|2014-05-30|2017-03-21|Pall Corporation|Self-assembled structure and membrane comprising block copolymer and process for producing the same by spin coating |
    US9592476B2|2014-05-30|2017-03-14|Pall Corporation|Membrane comprising self-assembled block copolymer and process for producing the same by hybrid casting |
    US9441078B2|2014-05-30|2016-09-13|Pall Corporation|Self-assemblingpolymers—I|
    US9469733B2|2014-05-30|2016-10-18|Pall Corporation|Self-assembled structure and membrane comprising block copolymer and process for producing the same by spin coating |
    US9328206B2|2014-05-30|2016-05-03|Pall Corporation|Self-assembling polymers—III|
    US9616395B2|2014-05-30|2017-04-11|Pall Corportaion|Membrane comprising self-assembled block copolymer and process for producing the same by spray coating |
    US9592477B2|2014-05-30|2017-03-14|Pall Corporation|Membrane comprising self-assembled block copolymer and process for producing the same by hybrid casting |
    US9193835B1|2014-05-30|2015-11-24|Pall Corporation|Self-assembling polymers—IV|
    US9593217B2|2014-05-30|2017-03-14|Pall Corporation|Self-assembled structure and membrane comprising block copolymer and process for producing the same by spin coating |
    US9593219B2|2014-05-30|2017-03-14|Pall Corporation|Membrane comprising self-assembled block copolymer and process for producing the same by spin coating |
    US9593218B2|2014-05-30|2017-03-14|Pall Corporation|Self-assembled structure and membrane comprising block copolymer and process for producing the same by spin coating |
    US9604181B2|2014-05-30|2017-03-28|Pall Corporation|Membrane comprising self-assembled block copolymer and process for producing the same by spray coating |
    US9765171B2|2014-05-30|2017-09-19|Pall Corporation|Self-assembling polymers—V|
    GB2549412A|2014-11-26|2017-10-18|Kimberly Clark Co|Annealed porous polyolefin material|
    CN105047568B|2015-09-07|2018-01-09|京东方科技集团股份有限公司|薄膜晶体管及其制作方法、显示面板|
    US9876075B2|2015-10-16|2018-01-23|International Business Machines Corporation|Method of forming dielectric with air gaps for use in semiconductor devices|
    US9691654B1|2015-12-22|2017-06-27|Globalfoundries Inc.|Methods and devices for back end of line via formation|
    US20170221701A1|2016-02-01|2017-08-03|Applied Materials, Inc.|Rtp process for directed self-aligned patterns|
    US10056265B2|2016-03-18|2018-08-21|Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.|Directed self-assembly process with size-restricted guiding patterns|
    KR20170109732A|2016-03-21|2017-10-10|에스케이하이닉스 주식회사|미세 패턴 형성 방법|
    JP2018029133A|2016-08-18|2018-02-22|株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス|Heat treatment apparatus, substrate processing apparatus, heat treatment method, and substrate processing method|
    US10170301B2|2017-03-29|2019-01-01|International Business Machines Corporation|Adhesion of polymers on silicon substrates|
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